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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBRF25100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF25100CT-Y 0.7462
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF25100 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF25100CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 850 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MMSZ5262B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5262B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5262 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 39 V 51 V 125 ohmios
SF14G R1G Taiwan Semiconductor Corporation SF14G R1G -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF14 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SK83C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK83C M6G -
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk83 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
SS35 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 R6G -
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS35R6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SFF1607GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1607GHC0G -
RFQ
 ECAD 5135 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1607 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 50pf @ 4V, 1 MHz
BZT55B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B18 0.0385
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 13 V 18 V 50 ohmios
BZT52C9V1S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1S RRG -
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 450 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
SK26AHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Sk26ahr3g -
RFQ
 ECAD 5432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Sk26 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
RS1MFSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mfsh 0.0603
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Rs1m Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
HS2MAH Taiwan Semiconductor Corporation Hs2mah 0.0906
RFQ
 ECAD 9661 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS2MAHTR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
BAV19WS-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV19WS-G 0.0334
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-76, SOD-323 BAV19 Estándar Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV19WS-GTR EAR99 8541.10.0070 9,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.25 V @ 100 Ma 50 ns 100 na @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
S3D R6G Taiwan Semiconductor Corporation S3d r6g -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S3DR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX85C6V2 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C6V2 A0G -
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohmios
PU2DMH M3G Taiwan Semiconductor Corporation PU2DMH M3G 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano PU2D Estándar Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 2 a 36 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2a 18pf @ 4V, 1 MHz
MBRF20L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20L100CTHC0G -
RFQ
 ECAD 9922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 850 MV @ 20 A 20 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRF1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf1690hc0g -
RFQ
 ECAD 5254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1690 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 16A 900 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HERF1007GAH Taiwan Semiconductor Corporation Herf1007Gah 1.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1007 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 5 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 40pf @ 4V, 1 MHz
SK16B Taiwan Semiconductor Corporation Sk16b 0.1063
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK16 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 1 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1N5257B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5257B A0G -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5257 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
TST30H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30H120CW 1.3992
RFQ
 ECAD 7868 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 120 V 880 MV @ 15 A 250 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
RS2MAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs2mahr3g -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2m Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
MBRS4060CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS4060CTH 1.0110
RFQ
 ECAD 9526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS4060 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS4060CTRTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 40A 1 V @ 40 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C
TSSD20L200SW Taiwan Semiconductor Corporation TSSD20L200SW 0.8805
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 TSSD20 Schottky TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSSD20L200SWTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 20 A 20 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 880pf @ 4V, 1MHz
BA159GH Taiwan Semiconductor Corporation BA159GH 0.0589
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA159 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SRA1660 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1660 C0G -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA1660 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 16 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
US1A R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A R3G -
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TPMR10G S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10G S1G 0.6845
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 10 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
SS14ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss14alh 0.0948
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS14 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS14AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 69pf @ 4V, 1MHz
HER3L05GH Taiwan Semiconductor Corporation HER3L05GH 0.2535
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER3L05GHTR EAR99 8541.10.0080 2.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.32 v @ 3 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 54pf @ 4V, 1 MHz
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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