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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SS22L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RFG -
RFQ
 ECAD 3327 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SS22L RVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22l rvg 0.6000
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
1N4934G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4934G R1G -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4934 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C30PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30phm2g -
RFQ
 ECAD 5426 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
BZY55C13 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c13 ryg 0.0354
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
2A07G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07G 0.0712
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A07 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
1SMA4764 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4764 0.0935
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4764 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
BAS21 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21 RFG 0.2500
RFQ
 ECAD 4797 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 1V, 1MHz
SR503HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr503hb0g -
RFQ
 ECAD 5027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
ES2LG R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2LG R5G -
RFQ
 ECAD 6422 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2L Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 20pf @ 4V, 1 MHz
UF1A B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1A B0G -
RFQ
 ECAD 4266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1A Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
HSJLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hsjlwh 0.0906
RFQ
 ECAD 8013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HSJLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 800 Ma 75 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 5PF @ 4V, 1MHz
1N5402G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G B0G -
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5402 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C18 0.0350
RFQ
 ECAD 1600 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 13 V 18 V 50 ohmios
SRT115 A1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt115 a1g -
RFQ
 ECAD 7904 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt115 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10 RHG 0.2600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 180 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
BZD27C68PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68PW 0.1092
RFQ
 ECAD 9646 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 51 V 68 V 80 ohmios
S5G R7G Taiwan Semiconductor Corporation S5G R7G -
RFQ
 ECAD 9303 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
2M15Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M15Z 0.1565
RFQ
 ECAD 4469 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M15 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
BZD27C39PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c39phrqg -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
SSL14HR3G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl14hr3g -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SSL14 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 390 MV @ 1 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SR1502HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1502HA0G -
RFQ
 ECAD 4764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial SR1502 Schottky R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 20 V -50 ° C ~ 150 ° C 15A -
MTZJ24SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ24SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 6269 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ24 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 19 V 22.62 V 35 ohmios
SFAF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2008GHC0G -
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF2008 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C180P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C180P -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 130 V 179.5 V 450 ohmios
BZX584B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx584b3v6 0.0798
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V6TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
MBRF1690 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1690 C0G -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1690 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 16 A 300 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
BZX585B6V2 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B6V2 RSG 0.0481
RFQ
 ECAD 1528 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B6 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 2.7 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
1N5397G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5397G 0.0712
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5397 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
HS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS2M R5G 0.2455
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 v @ 2 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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