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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1SMB5955H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5955H 0.1545
RFQ
 ECAD 9209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5955 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
BZD27C20P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c20p mhg -
RFQ
 ECAD 5623 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 15 V 20 V 15 ohmios
BZD27C36P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P M2G -
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
S12GCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S12gchm6g -
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
RABS15MHREG Taiwan Semiconductor Corporation Rabs15mhreg -
RFQ
 ECAD 6103 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Rabs15 Estándar Abdomen descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.3 V @ 1.5 A 1 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
SBS34 REG Taiwan Semiconductor Corporation SBS34 REG -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS34 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V 3 A Fase única 40 V
SBS34HREG Taiwan Semiconductor Corporation Sbs34hreg -
RFQ
 ECAD 9323 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS34 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V 3 A Fase única 40 V
SBS36 REG Taiwan Semiconductor Corporation SBS36 REG -
RFQ
 ECAD 9667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS36 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V 3 A Fase única 60 V
SBS36HREG Taiwan Semiconductor Corporation Sbs36hreg -
RFQ
 ECAD 6468 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota SBS36 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 500 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V 3 A Fase única 60 V
ABS2 REG Taiwan Semiconductor Corporation ABS2 REG -
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS2 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 950 MV @ 400 Ma 10 µA @ 200 V 800 Ma Fase única 200 V
ABS6HREG Taiwan Semiconductor Corporation ABS6HREG -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Abdomen Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 950 MV @ 400 Ma 10 µA @ 600 V 800 Ma Fase única 600 V
BZD17C36P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C36P RFG -
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V 40 ohmios
EABS1D REG Taiwan Semiconductor Corporation EABS1D REG -
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Eabs1 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 950 MV @ 1.5 A 1 µA @ 200 V 1 A Fase única 200 V
EABS1JHREG Taiwan Semiconductor Corporation Eabs1jhreg -
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Eabs1 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.7 V @ 1 A 1 µA @ 600 V 1 A Fase única 600 V
BZD27C62P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C62P RFG -
RFQ
 ECAD 6995 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 47 V 62 V 80 ohmios
BZD27C8V2P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P R3G -
RFQ
 ECAD 1332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 8.2 V 2 ohmios
BZD17C120P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD17C120P -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120 V 300 ohmios
BZX55C6V8 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C6V8 A0G -
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 3 V 6.8 V 8 ohmios
BZX79C18 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C18 A0G -
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
BZX585B6V8 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B6V8 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B6 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 1.8 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
GBU2504 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2504 1.2138
RFQ
 ECAD 6780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2504 Estándar Gbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 V @ 25 A 10 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
GBU2505 D2 Taiwan Semiconductor Corporation GBU2505 D2 2.7500
RFQ
 ECAD 822 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU2505 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.2 V @ 25 A 10 µA @ 600 V 25 A Fase única 600 V
GBL06 Taiwan Semiconductor Corporation GBL06 1.2200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL06 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 2 a 5 µA @ 600 V 4 A Fase única 600 V
GBU607 Taiwan Semiconductor Corporation GBU607 1.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU607 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 1000 V 6 A Fase única 1 kV
DBLS102G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS102G 0.3825
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS102 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 15 A 2 µA @ 100 V 1 A Fase única 100 V
DBLS209G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS209G 0.7700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS209 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.3 v @ 2 a 2 µA @ 1400 V 2 A Fase única 1.4 kV
MBRS10150 Taiwan Semiconductor Corporation MBRS10150 0.5250
RFQ
 ECAD 3116 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS10150 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS10150TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A -
KBP305G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP305G C2G -
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
BZY55C5V1 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c5v1 ryg -
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 1 V 5.1 V 50 ohmios
GBL205 Taiwan Semiconductor Corporation GBL205 0.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL205 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 2 a 5 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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