SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52B2V4-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4-G 0.0461
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B2V4-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
RSFML MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfml mhg -
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
S1BL M2G Taiwan Semiconductor Corporation S1BL M2G -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
MMSZ5245B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5245B 0.0433
RFQ
 ECAD 9317 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5245 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5245BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 16 ohmios
UG2DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Ug2dha0g -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
RS1GALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1galh 0.0683
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1GALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
BZX85C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C30 0.0645
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C30TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 22 V 30 V 30 ohmios
BZX85C4V7 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C4V7 A0G -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 4.7 V 13 ohmios
BZV55C36 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C36 L1G -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 27 V 36 V 80 ohmios
1M180Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M180Z A0G -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M180 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 136.8 V 180 V 1200 ohmios
SR009 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR009 A0G -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B10S Taiwan Semiconductor Corporation Bzt52b10s 0.0340
RFQ
 ECAD 8716 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B10STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 180 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
SRAF1690HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1690HC0G -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1690 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 16 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
UGF1008GAH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1008GAH 0.4987
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-Tugf1008GAH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 10A 1.7 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C9V1-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1-G 0.0445
RFQ
 ECAD 2569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C9V1-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 500 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
S12GCH Taiwan Semiconductor Corporation S12gch 0.2502
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
1SMA120Z Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA120Z 0.1229
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA120 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 91.2 V 120 V 550 ohmios
BZX55C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C2V7 0.0287
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C2V7TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 10 µA @ 1 V 2.7 V 85 ohmios
BZX79B20 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B20 0.0305
RFQ
 ECAD 8060 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B20TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 14 Ma @ 50 MV 20 V 55 ohmios
US1JH Taiwan Semiconductor Corporation US1JH 0.0907
RFQ
 ECAD 8983 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S2GHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S2GHR5G -
RFQ
 ECAD 6981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2G Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1 MHz
ES3A R6G Taiwan Semiconductor Corporation ES3A R6G -
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3AR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HS2JAH Taiwan Semiconductor Corporation Hs2jah 0.0948
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS2JAHTR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
S4B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S4B V6G -
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
MBRF25150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF25150CTH 1.3041
RFQ
 ECAD 8581 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF25150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF25150CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 25A 1.02 v @ 25 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA5937 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937 0.0935
RFQ
 ECAD 5428 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5937 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
MTZJ4V7SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ4V7SA 0.0305
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj4 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ4V7SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 4.56 V 80 ohmios
BZD27C120PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c120phmhg -
RFQ
 ECAD 6220 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120.5 V 300 ohmios
S5MH Taiwan Semiconductor Corporation S5MH 0.5700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5357H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5357H 0.3459
RFQ
 ECAD 9909 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 15.2 V 20 V 3 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar