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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZY55B22 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b22 0.0491
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55B22TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 16 V 22 V 55 ohmios
1PGSMA4748 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4748 R3G -
RFQ
 ECAD 1850 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4748 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
SRA2090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2090 C0G -
RFQ
 ECAD 3289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA2090 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 20 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SS22L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22L RQG -
RFQ
 ECAD 4979 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS22 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZT55C39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C39 L1G -
RFQ
 ECAD 1938 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
HER1604PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1604PT C0G -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 HER1604 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 16A 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C75P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RFG -
RFQ
 ECAD 5704 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
SR210 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR210 B0G -
RFQ
 ECAD 1517 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR210 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZD17C39P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RFG -
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
SK115B Taiwan Semiconductor Corporation SK115B 0.1121
RFQ
 ECAD 1696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK115 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR804 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR804 B0G -
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR804 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
BAS85-L0 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BAS85-L0 L0G -
RFQ
 ECAD 9740 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Schottky Mini Melf - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAS85-L0L0G EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 800 MV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C (Máximo) 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
BZT52B16 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B16 0.0412
RFQ
 ECAD 9047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B16TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 11.2 V 16 V 40 ohmios
HER1606PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER1606PTH 1.4388
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER1606 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 16A 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS13LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss13lhrtg -
RFQ
 ECAD 7622 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS13 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MBRS1635 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1635 mng -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1635 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
PUAD6BC Taiwan Semiconductor Corporation PUAD6BC 0.8300
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Estándar Thindpak - 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 6A 950 MV @ 3 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
ES1BLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es1blhrvg -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5221B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5221B 0.0271
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5221 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5221BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 30 ohmios
BZD27C110PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c110pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 82 V 110 V 250 ohmios
2M6.8Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8z A0G -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m6.8 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1 ma @ 5.5 V 6.8 V 1.5 ohmios
1PGSMC5363 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5363 V7G -
RFQ
 ECAD 7946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5363V7GTR EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 22.8 V 30 V 8 ohmios
S15GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S15GC M6G -
RFQ
 ECAD 9352 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S15G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 V @ 15 A 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 93pf @ 4V, 1MHz
HER307G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER307G B0G -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial HES307 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
FR301G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR301G R0G -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial FR301 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B62S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B62S RRG -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 43.4 V 62 V 215 ohmios
RS3M R7G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3m r7g -
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3m Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
GP1007 Taiwan Semiconductor Corporation GP1007 0.4632
RFQ
 ECAD 5614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1007 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 10A 1.1 v @ 5 a 2 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C13 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C13 L1G -
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 10 V 13 V 26 ohmios
HS5J R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R7 -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS5JR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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