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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HERAF805G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf805g -
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERAF805G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
MBRF2560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2560CTH 1.0053
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2560 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF2560CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 25A 750 MV @ 12.5 A 2 Ma @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF12G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12G A0G -
RFQ
 ECAD 3910 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF12 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1FL MQG -
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1F Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
6A80GH Taiwan Semiconductor Corporation 6A80GH 0.2696
RFQ
 ECAD 5886 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A80 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX85C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C3V9 0.0645
RFQ
 ECAD 2633 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C3V9TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 3.9 V 15 ohmios
HER3005PTH Taiwan Semiconductor Corporation Her3005pth 1.9201
RFQ
 ECAD 8761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER3005 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 30A 1.3 V @ 15 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
S12MCHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S12mchm6g -
RFQ
 ECAD 1250 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
MUR460SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460SHM6G -
RFQ
 ECAD 4555 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur460 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C24P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c24p mqg -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.83% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24 V 15 ohmios
BZD17C33P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C33P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
BZD27C16P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C16P 0.2753
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16.2 V 15 ohmios
1SMA4748H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4748H 0.0995
RFQ
 ECAD 2283 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4748 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
TSZU52C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V4 0.0669
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C2V4TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
SS23L MQG Taiwan Semiconductor Corporation SS23L MQG -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Ss23 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1PGSMC5361H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5361H 0.3459
RFQ
 ECAD 5304 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 20.6 V 27 V 5 ohmios
AZ23C22 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C22 0.0794
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C22TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 17 V 22 V 55 ohmios
SR315 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR315 A0G 0.8800
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR315 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C220P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C220P 0.1260
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C220PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220.5 V 900 ohmios
SS36LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss36lhrvg -
RFQ
 ECAD 1761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS36 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX585B7V5 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B7V5 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 4550 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Bzx585b7 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 na @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZT52C7V5S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C7V5S RRG -
RFQ
 ECAD 9703 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZD27C150PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c150phmqg -
RFQ
 ECAD 9916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 110 V 147 V 300 ohmios
MTZJ8V2SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj8v2sc r0g 0.0305
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj8 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 500 na @ 5 V 8.24 V 20 ohmios
RS1MALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1malh 0.0683
RFQ
 ECAD 8696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1MALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
RSFDL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL RHG -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SF1601G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601G C0G -
RFQ
 ECAD 5923 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1601 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C20 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20 RHG 0.0412
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
MMSZ5231B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5231B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5231 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
SSL24 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SSL24 R5G -
RFQ
 ECAD 4927 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SSL24 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 410 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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