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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SSL32HM6G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl32hm6g -
RFQ
 ECAD 4128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1T7G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T7G A0G -
RFQ
 ECAD 7718 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T7G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SK84C R6 Taiwan Semiconductor Corporation SK84C R6 -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK84CR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
BZX84C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V6 0.0511
RFQ
 ECAD 7192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C3V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
SS115LH Taiwan Semiconductor Corporation Ss115lh 0.1116
RFQ
 ECAD 9150 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS115LHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TPAR3G S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3G S1G 0.4496
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPAR3 Avalancha TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 v @ 3 a 120 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 58pf @ 4V, 1 MHz
UF1BHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1BHA0G -
RFQ
 ECAD 4769 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1B Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SR303 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR303 A0G -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR303 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
HS5B M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5B M6G -
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
HT12G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HT12G R0G -
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial HT12 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SFA1006G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1006G C0G -
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1006 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ11B R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ11B R0G -
RFQ
 ECAD 9810 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2.6% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 8 V 10.78 V 30 ohmios
BZV55C24 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C24 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 7421 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
BZD17C120P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C120P R3G -
RFQ
 ECAD 7333 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120 V 300 ohmios
MBR20100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100CTH -
RFQ
 ECAD 8729 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20100 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS5J R6G Taiwan Semiconductor Corporation HS5J R6G -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS5JR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
MUR160AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR160AHB0G -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MUR160 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
RSFBLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rsfblhr3g -
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFBL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
HS1ML RFG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML RFG -
RFQ
 ECAD 6009 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1M Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS5A V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5A V7G 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5A Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C4V7 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C4V7 L1G -
RFQ
 ECAD 3069 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 500 na @ 1 V 4.7 V 60 ohmios
MBRF5200 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF5200 C0G -
RFQ
 ECAD 7032 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF5200 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.02 v @ 5 a 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
MBRS1645 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1645 mng -
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1645 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SFAF503GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF503GHC0G -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF503 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
BZT52C56K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56K 0.0511
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C56KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 43 V 56 V 200 ohmios
S15KLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation S15klw rvg 0.0867
RFQ
 ECAD 1133 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S15K Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 1.5 A 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 10pf @ 4V, 1 MHz
SS39 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SS39 R6G -
RFQ
 ECAD 1570 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS39R6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZD27C27PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c27ph 0.2933
RFQ
 ECAD 9037 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C27PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
MBR30100PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100PTHC0G -
RFQ
 ECAD 1621 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR30100 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 30A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX585B39 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B39 RKG -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 45 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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