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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rmb4s | 0.2448 | ![]() | 9667 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB4 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 mA | Fase única | 400 V | ||||||||||
![]() | Rmb4sh | 0.2739 | ![]() | 3820 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB4 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 400 V | 500 mA | Fase única | 400 V | ||||||||||
![]() | Rmb6sh | 0.2739 | ![]() | 9872 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-besop (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | RMB6 | Estándar | MBS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 1 V @ 400 Ma | 5 µA @ 600 V | 500 mA | Fase única | 600 V | ||||||||||
Rs1kl rhg | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs1k | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 800 Ma | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
Rsfdlhrhg | - | ![]() | 2739 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFDL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SBS25 RGG | - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SBS25 | Estándar | Abdomenal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 500 MV @ 2 A | 100 µA @ 50 V | 2 A | Fase única | 50 V | ||||||||||
![]() | SBS26 | 0.5994 | ![]() | 4075 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SBS26 | Estándar | Abdomenal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 700 MV @ 2 A | 50 µA @ 60 V | 2 A | Fase única | 60 V | ||||||||||
![]() | SBS36 | 0.6996 | ![]() | 6190 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | SBS36 | Estándar | Abdomenal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 60 V | 3 A | Fase única | 60 V | ||||||||||
Ss110lhrhg | - | ![]() | 5097 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS110 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 800 MV @ 1 A | 50 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
Ss13l rhg | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS13 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 1 A | 400 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
Ss34l rhg | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Ss34 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
DBLS102GHRDG | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS102 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 v @ 1 a | 2 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
Dbls151ghrdg | - | ![]() | 2714 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS151 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 50 V | 1.5 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
DBLS152GHRDG | - | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS152 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 100 V | 1.5 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
Dbls154g | 0.2997 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS154 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
DBLS154GH | 0.3209 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS154 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 400 V | 1.5 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
DBLS155GH | 0.3209 | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS155 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 600 V | 1.5 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
Dbls156g | 0.2997 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS156 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 1.5 A | 2 µA @ 800 V | 1.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
DBLS202GHRDG | - | ![]() | 2056 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS202 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
DBLS206GH | 0.3192 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS206 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.15 v @ 2 a | 2 µA @ 800 V | 2 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
DBLS208GH | 0.3192 | ![]() | 1295 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | DBLS208 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.3 v @ 2 a | 2 µA @ 1200 V | 2 A | Fase única | 1.2 kV | |||||||||||
HDBLS102G RDG | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HDBLS102 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | 1 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
HDBLS104G | 0.3999 | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HDBLS104 | Estándar | DBLS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.3 V @ 1 A | 5 µA @ 400 V | 1 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
![]() | MUR190A R1G | - | ![]() | 4417 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | MUR190 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N4744AHR1G | - | ![]() | 3262 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4745A R1G | - | ![]() | 4583 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4745 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4763A R1G | - | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4763 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4763AHR1G | - | ![]() | 1853 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4763 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4764A R1G | - | ![]() | 1315 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4764 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4934G R1G | - | ![]() | 2001 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4934 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.2 v @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz |
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