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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBR20200PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20200PT 1.5011
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR20200 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 1.02 v @ 20 a 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75 0.0453
RFQ
 ECAD 1202 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C75TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
1SMA5944 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5944 R3G -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5944 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
RSFGLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfglhmqg -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SRAF590 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF590 C0G -
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF590 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
BZD27C160PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phmqg -
RFQ
 ECAD 1532 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
BZX79C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C4V3 0.0287
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C4V3TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
1PGSMC5367 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5367 R7G -
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 500 na @ 32.7 V 43 V 20 ohmios
BZD27C13PHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phrqg -
RFQ
 ECAD 9797 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
BZT55B47 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B47 L1G -
RFQ
 ECAD 8279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 35 V 47 V 110 ohmios
HERA805G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Hera805G C0G -
RFQ
 ECAD 9242 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 Hera805 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 65pf @ 4V, 1 MHz
ZM4757A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4757a 0.0830
RFQ
 ECAD 2928 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4757 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4757ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 38.8 V 51 V 95 ohmios
1N4756AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756AH 0.1188
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
BAT43-L0 A0 Taiwan Semiconductor Corporation BAT43-L0 A0 -
RFQ
 ECAD 5382 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAT43-L0A0 EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
TSS40U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS40U RGG 0.0857
RFQ
 ECAD 1999 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie 0201 (0603 Métrica) TSS40 Schottky 0603 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 1 V @ 40 Ma 5 ns 200 na @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
1SMB5931HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5931HR5G -
RFQ
 ECAD 1495 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5931 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 13.7 V 18 V 12 ohmios
FR207G Taiwan Semiconductor Corporation FR207G 0.0981
RFQ
 ECAD 3531 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR207 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS24LHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss24lhrvg -
RFQ
 ECAD 2592 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS24 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S12KC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S12KC M6 -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S12KCM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
1N4741AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4741AH 0.1188
RFQ
 ECAD 1368 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4741 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 15.2 V 11 V 22 ohmios
RSFML RFG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML RFG -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
1SMA5937 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937 R3G -
RFQ
 ECAD 5743 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5937 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
SFAF1604G Taiwan Semiconductor Corporation Sfaf1604g -
RFQ
 ECAD 2519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFAF1604G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 130pf @ 4V, 1MHz
BZD17C220P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C220P RFG -
RFQ
 ECAD 8804 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.68% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
SF62G Taiwan Semiconductor Corporation SF62G 0.4775
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF62GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SFT13GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sft13ghr0g -
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT13 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
1N4740G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G R1G -
RFQ
 ECAD 9159 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 9.9 V 10 V 10 ohmios
1N4746AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746AHA0G -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4746 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 13.7 V 18 V 45 ohmios
S3GBH Taiwan Semiconductor Corporation S3GBH 0.1210
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3g Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
ES3GB Taiwan Semiconductor Corporation ES3GB 0.1908
RFQ
 ECAD 5941 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3G Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.13 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 41pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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