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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SFAS803GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfas803ghmng -
RFQ
 ECAD 6545 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS803 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
SS25L Taiwan Semiconductor Corporation SS25L 0.2625
RFQ
 ECAD 5600 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SS25 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS25LTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
S3M Taiwan Semiconductor Corporation S3M 0.1516
RFQ
 ECAD 3922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
UF1JHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1JHB0G -
RFQ
 ECAD 3028 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
RS1ALHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhmtg -
RFQ
 ECAD 7908 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C16P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c16p mqg -
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
BZD27C160PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrfg -
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
BZX79B22 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B22 0.0305
RFQ
 ECAD 6967 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B22TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 15.4 Ma @ 50 MV 22 V 55 ohmios
2M140Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M140Z A0G -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M140 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 106.4 V 140 V 500 ohmios
BZX79C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C18 0.0287
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C18TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
BZX79C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C6V2 0.0287
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C6V2TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 V 10 ohmios
1PGSMC5353 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5353 R6G -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5353R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 12.2 V 16 V 3 ohmios
RSFAL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL RVG 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
TSZU52C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C3V9 0.0669
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 4.99% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C3V9TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 95 ohmios
1PGSMA4764 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4764 0.1086
RFQ
 ECAD 8008 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4764 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
SFF1008GA Taiwan Semiconductor Corporation SFF1008GA 0.5404
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 600 V 10a (DC) 1.7 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B12 0.0305
RFQ
 ECAD 3885 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B12TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 8 Ma @ 100 MV 12 V 25 ohmios
RS2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2J R5G 0.5300
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
2M13Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M13Z B0G -
RFQ
 ECAD 4356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M13 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 9.9 V 13 V 5 ohmios
MBRS2090CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2090CT mng -
RFQ
 ECAD 6990 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2090 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C11P RTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c11p rtg -
RFQ
 ECAD 4735 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
MUR105S R5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR105S R5G -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Mur105 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 875 MV @ 1 A 25 ns 50 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
MBRF30L45CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF30L45CTHC0G -
RFQ
 ECAD 4237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF30 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 740 MV @ 30 A 400 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C13S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13S 0.0357
RFQ
 ECAD 3249 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C13STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
ZM4744A L0G Taiwan Semiconductor Corporation Zm4744a l0g 0.0830
RFQ
 ECAD 9538 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4744 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
SR206H Taiwan Semiconductor Corporation Sr206h 0.1035
RFQ
 ECAD 6145 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR206 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
S1KFS Taiwan Semiconductor Corporation S1KFS 0.0525
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1K Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
SS25L RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra SS25L -
RFQ
 ECAD 2089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS25 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRS15150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS15150CT 0.7425
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS15150 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS15150CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 15A 950 MV @ 7.5 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR420S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR420S V7G -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur420 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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