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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S4B R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4B R6 -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4BR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
HER153G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER153G R0G -
RFQ
 ECAD 9320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER153 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 35pf @ 4V, 1MHz
HS2AA M2G Taiwan Semiconductor Corporation HS2AA M2G -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMA110Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA110Z R3G -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA110 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1PGSMA110ZR3G EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 83.6 V 110 V 450 ohmios
BZX585B3V0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B3V0 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B3 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 9 µA @ 1 V 3 V 100 ohmios
SS14LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss14lhmhg -
RFQ
 ECAD 6223 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMC5349 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5349 0.3249
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 2 µA @ 9.1 V 12 V 3 ohmios
1N914BW RHG Taiwan Semiconductor Corporation 1N914BW RHG 0.0272
RFQ
 ECAD 8637 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F 1N914 Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 75 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
BA159G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Ba159g a0g 0.4500
RFQ
 ECAD 555 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BA159 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.2 v @ 1 a 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SF2002PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2002PTHC0G -
RFQ
 ECAD 2698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SF2002 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
UGF12JD C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF12JD C0G -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero UGF12 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 3.1 v @ 12 a 45 ns 500 na @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 12A -
SF26GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF26GHB0G -
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SF26 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
RS1MHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mhr3g -
RFQ
 ECAD 2133 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs1m Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SR502 Taiwan Semiconductor Corporation SR502 -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR502TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
1N4755AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4755AHR1G -
RFQ
 ECAD 2706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4755 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 32.7 V 43 V 70 ohmios
ABS2 RGG Taiwan Semiconductor Corporation ABS2 RGG -
RFQ
 ECAD 1867 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota ABS2 Estándar Abdomenal descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 950 MV @ 400 Ma 10 µA @ 200 V 800 Ma Fase única 200 V
SF14GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF14GHB0G -
RFQ
 ECAD 2873 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF14 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
RS3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation Rs3g r7 -
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS3GR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX84C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C24 0.0511
RFQ
 ECAD 1961 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.83% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C24TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 16.8 V 24 V 70 ohmios
SS56FSH Taiwan Semiconductor Corporation SS56FSH 0.1596
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 SS56 Schottky SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS56FSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 5 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 245pf @ 4V, 1 MHz
SF66GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF66GHA0G -
RFQ
 ECAD 5981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF66 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 6 A 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
SS29 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS29 R5G -
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS29 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
2M16ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m16zha0g -
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M16 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 12.2 V 16 V 8 ohmios
BZX79C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C13 0.0287
RFQ
 ECAD 7387 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C13TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
MBR60200PT C0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR60200PT C0 -
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela La Última Vez Que Compre MBR60200 - 1801-MBR60200PTC0 1
BZY55C22 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c22 ryg -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 16 V 22 V 55 ohmios
BZD27C51P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C51P 0.2753
RFQ
 ECAD 2536 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 39 V 51 V 60 ohmios
6A05GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A05GHR0G -
RFQ
 ECAD 1272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial 6A05 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 6 a 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
HER157G Taiwan Semiconductor Corporation HER157G 0.1129
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER157 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
SR305HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr305hr0g -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR305 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
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    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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