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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HERF1007GA Taiwan Semiconductor Corporation Herf1007Ga 0.5661
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1007 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 800 V 10A 1.7 V @ 5 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
2M6.8Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M6.8Z B0G -
RFQ
 ECAD 2552 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m6.8 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 1 ma @ 5.5 V 6.8 V 1.5 ohmios
SD103CM3 Taiwan Semiconductor Corporation SD103CM3 0.0330
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F SD103 Schottky Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SD103CM3TR EAR99 8541.10.0070 9,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 200 Ma 5 µA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C 350 mm 50pf @ 0v, 1 MHz
BZY55B11 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b11 ryg 0.0486
RFQ
 ECAD 8547 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
S3G R6 Taiwan Semiconductor Corporation S3G R6 -
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S3GR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SF2007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2007G C0G -
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2007 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
FR104GH Taiwan Semiconductor Corporation FR104GH 0.0597
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-FR104GHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
HER202G Taiwan Semiconductor Corporation HER202G -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HER202GTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
RS2MFS Taiwan Semiconductor Corporation Rs2mfs 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Rs2m Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C8V2-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2-G RHG 0.0445
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
MUR420S R7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR420S R7G -
RFQ
 ECAD 1801 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur420 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 875 MV @ 4 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C180PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c180ph 0.3773
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C180PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 130 V 180 V 450 ohmios
S1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1B R3G 0.4700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
S5G R6G Taiwan Semiconductor Corporation S5G R6G -
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S5GR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
SFS1603GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfs1603ghmng -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1603 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 80pf @ 4V, 1 MHz
S8KC M6 Taiwan Semiconductor Corporation S8KC M6 -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S8KCM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 985 MV @ 8 A 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 48pf @ 4V, 1 MHz
ES1CLHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Es1clhrfg -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
ES2B Taiwan Semiconductor Corporation ES2B 0.2070
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES2BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
SF1606PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF1606 PTH 1.5246
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF1606 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SF1606 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 16A 1.3 V @ 8 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
RSFML MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML MTG -
RFQ
 ECAD 5554 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
MBRF3045CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF3045CT-Y 0.6949
RFQ
 ECAD 7981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF3045 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF3045CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 30A 950 MV @ 30 A 200 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
2A06GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A06GH 0.0760
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A06 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
MBRF10150CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150CT-Y 0.3912
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF10150 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF10150CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 880 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
S1B Taiwan Semiconductor Corporation S1B 0.3700
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA S1B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 1 a 1.5 µs 1 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 12PF @ 4V, 1MHz
SS12L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L RQG -
RFQ
 ECAD 1824 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS12 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1T5GH Taiwan Semiconductor Corporation 1T5GH 0.0571
RFQ
 ECAD 9862 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T5G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1t5ghtr EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MUR160AH Taiwan Semiconductor Corporation MUR160AH 0.1012
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial MUR160 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 1 a 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 27pf @ 4V, 1MHz
SS310 M6G Taiwan Semiconductor Corporation SS310 m6g -
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS310 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
US1J Taiwan Semiconductor Corporation US1J 0.0853
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
GPA803 C0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA803 C0G -
RFQ
 ECAD 3622 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GPA803 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 50pf @ 4V, 1 MHz
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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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