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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZD27C13PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c13phmhg -
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13.25 V 10 ohmios
2M56Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M56Z B0G -
RFQ
 ECAD 3969 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m56 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 42.6 V 56 V 55 ohmios
BZD27C75P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75P RTG -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 74.5 V 100 ohmios
2M11Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M11Z A0G -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M11 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1 µA @ 8.4 V 11 V 4 ohmios
UDZS30B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS30B RRG 0.0416
RFQ
 ECAD 7103 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F UDZS30 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 45 na @ 23 V 30 V 100 ohmios
1SMA4747 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4747 0.0935
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4747 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 15.2 V 20 V 22 ohmios
2M51ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M51ZHB0G -
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M51 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 38.8 V 51 V 48 ohmios
BZT55B2V4 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B2V4 L0G 0.0385
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
BZD27C33PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c33phm2g -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
MTZJ30SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ30SD R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 1347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj30 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 23 V 29.77 V 55 ohmios
2A02G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A02G R0G -
RFQ
 ECAD 8227 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A02 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
GBLA04H Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04H -
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA04 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
S3AB Taiwan Semiconductor Corporation S3ab 0.1565
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S3ABTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
BZX84C3V6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C3V6 RFG 0.0511
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
RS5D-T M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs5d-t m6g 0.1525
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs5d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS5D-TM6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 5 A 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 57pf @ 4V, 1MHz
MTZJ18SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SC R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ18 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 13 V 17.88 V 45 ohmios
BZD27C10PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c10phmqg -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 7 µA @ 7.5 V 10 V 4 ohmios
BZT52C36-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C36-G 0.0445
RFQ
 ECAD 8730 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C36-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
BZT55C16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C16 L1G -
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
SS33 M6 Taiwan Semiconductor Corporation Ss33 m6 -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS33M6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
TSSA5U60H Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U60H 0.3072
RFQ
 ECAD 7694 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSSA5U60HTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 560 MV @ 5 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1PGSMC5368 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5368 0.8400
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 35.8 V 47 V 25 ohmios
BZD27C47PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c47ph 0.2933
RFQ
 ECAD 2854 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C47PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 36 V 47 V 45 ohmios
MBRAD1060DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1060DH 0.9400
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1060 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 800 MV @ 5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B39S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B39S 0.0340
RFQ
 ECAD 5358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b39str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
TS15P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
BZX79B5V6 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B5V6 A0G -
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 2 Ma @ 1 V 5.6 V 40 ohmios
SK19B Taiwan Semiconductor Corporation SK19B -
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK19BTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD17C15PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c15ph 0.2790
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C15PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
GBPC5010M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5010m 4.6113
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC50 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, GBPC GBPC5010 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC5010m EAR99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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