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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MUR1660CTH Taiwan Semiconductor Corporation Mur1660cth 0.7551
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MUR1660 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 600 V 16A 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C
SS310 Taiwan Semiconductor Corporation SS310 0.1510
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS310 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MTZJ5V1SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V1SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 9455 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj5 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1.5 V 4.94 V 80 ohmios
BZY55C16 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c16 0.0350
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C16TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
ZM4754A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4754a 0.0830
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4754 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4754ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
S3B V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3B V7G -
RFQ
 ECAD 6198 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
BZT52C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C12 0.0412
RFQ
 ECAD 8494 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C12TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
GP1006H Taiwan Semiconductor Corporation GP1006H 0.5037
RFQ
 ECAD 1490 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GP1006H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 800 V 10A 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4762A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4762A 0.1118
RFQ
 ECAD 1688 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4762 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
RS2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2M R5G 0.5300
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Rs2m Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
SS220ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss220alh 0.1041
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS220 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS220AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 39pf @ 4V, 1MHz
RSFKL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfkl mhg -
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rsfkl Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SK810C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK810C R7G -
RFQ
 ECAD 4811 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk810 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 8 A 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
SK84C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK84C M6 -
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sk84cm6tr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
MBR30L120CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L120CT 1.3242
RFQ
 ECAD 6833 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 30A 950 MV @ 30 A 20 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
UGF2004G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2004G 0.6433
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF2004 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 950 MV @ 10 A 20 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C
MUR360S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR360S R6 -
RFQ
 ECAD 6412 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR360SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
SS33HR7G Taiwan Semiconductor Corporation Ss33hr7g -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
MBRS6040CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS6040CT 2.3100
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS6040 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 40 V 60A 1.05 v @ 60 a 100 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1545CTH 0.5905
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1545 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1545CTH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 840 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4759 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4759 0.0944
RFQ
 ECAD 6018 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4759 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
SF2005G Taiwan Semiconductor Corporation SF2005G 0.7283
RFQ
 ECAD 4163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2005 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
TUAU6JH M3G Taiwan Semiconductor Corporation Tuu6jh m3g 1.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau6 Estándar SMPC4.6U - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 6 A 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 64pf @ 4V, 1 MHz
TUAU8JH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau8jh 0.3207
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu8jhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 8 A 50 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
S4K R6G Taiwan Semiconductor Corporation S4K R6G -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4KR6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
RS2KAF-T Taiwan Semiconductor Corporation Rs2kaf-t 0.1124
RFQ
 ECAD 9429 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMAF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2KAF-TTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS1JL M2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jl m2g 0.0682
RFQ
 ECAD 2081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 800 Ma 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SRA1640H Taiwan Semiconductor Corporation SRA1640H -
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sra1640h EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 16 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
PE1DAH Taiwan Semiconductor Corporation PE1DAH 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA PE1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 920 MV @ 1 A 15 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 24pf @ 4V, 1 MHz
RS5D-T Taiwan Semiconductor Corporation Rs5d-t 0.2496
RFQ
 ECAD 2251 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS5D-TTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 5 A 150 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 57pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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