SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MMBD4148SE RFG Taiwan Semiconductor Corporation Mmbd4148se rfg 0.0330
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd4148 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 1 par 100 V 200 MMA 1 V @ 10 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZX79C56 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C56 A0G -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
SF31GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF31GHR0G -
RFQ
 ECAD 7406 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF31 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
1N4729G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4729G A0G -
RFQ
 ECAD 5865 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4729 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.6 V 10 ohmios
1PGSMA130ZH Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma130zh 0.1156
RFQ
 ECAD 5065 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA130 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 98.8 V 130 V 700 ohmios
SF48G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF48G B0G -
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF48 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZX79C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V6 0.0287
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C3V6TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 15 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
MBRF2550CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2550CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2967 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2550 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 25A 750 MV @ 12.5 A 2 Ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
UF1G B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1G B0G -
RFQ
 ECAD 4483 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1G Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
UGA15120HC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA15120HC0G -
RFQ
 ECAD 4722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 UGA15120 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.9 v @ 15 a 65 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A -
BZD17C68P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RTG -
RFQ
 ECAD 6341 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51 V 68 V 80 ohmios
BAT54 RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54 RFG 0.2500
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SS24L RHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss24l rhg -
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS24 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
MBRF1090CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1090CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1090 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 10A 950 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1KL RHG Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL RHG -
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SR510HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr510ha0g -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR510 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
RS2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs2ja r3g -
RFQ
 ECAD 4314 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA RS2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1.5 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
1SMB5944 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944 0.1453
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
SF1603PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1603PT C0G -
RFQ
 ECAD 8863 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF1603 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 85pf @ 4V, 1 MHz
BAT54A Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A 0.0336
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 Schottky Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bat54atr EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
BZD27C22PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c22phmhg -
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22.05 V 15 ohmios
RS1DFS Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dfs 0.3800
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RS1D Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
SRT19HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt19ha0g -
RFQ
 ECAD 6112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt19 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
1SMA5956 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5956 0.0944
RFQ
 ECAD 5619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5956 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 152 V 200 V 1200 ohmios
BZT52B18-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
SS19L Taiwan Semiconductor Corporation SS19L 0.4700
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SRAS20100 Taiwan Semiconductor Corporation Sras20100 0.7722
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras20100 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SS26LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss26lhmtg -
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS26 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 2 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
HS1KLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KLH 0.2378
RFQ
 ECAD 1762 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1KLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
S1JLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1JLW RVG 0.0762
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S1J Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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