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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SS22MHRSG Taiwan Semiconductor Corporation Ss22mhrsg 0.1035
RFQ
 ECAD 8439 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano SS22 Schottky Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 600 MV @ 2 A 150 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
BYG21MH Taiwan Semiconductor Corporation Byg21mh 0.1011
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg21 Avalancha DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.6 V @ 1.5 A 120 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 13PF @ 4V, 1MHz
BZD17C16P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c16p mqg -
RFQ
 ECAD 1793 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
SF62GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF62GHR0G -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF62 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SR1502 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1502 B0G -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero R-6, axial SR1502 Schottky R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 20 V -50 ° C ~ 150 ° C 15A -
SF42GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF42GHB0G -
RFQ
 ECAD 9648 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF42 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 100pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C33S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S RRG -
RFQ
 ECAD 4107 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 23 V 33 V 80 ohmios
BZS55B3V0 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B3V0 RAG -
RFQ
 ECAD 2936 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B3V0RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
BZX85C47 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C47 A0G -
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 33 V 47 V 90 ohmios
1N5261B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5261B 0.0277
RFQ
 ECAD 9756 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5261 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5261BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 36 V 47 V 105 ohmios
BAV21 Taiwan Semiconductor Corporation BAV21 0.0315
RFQ
 ECAD 5703 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAV21 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV21TR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
BZT52B4V7S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7S RRG -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
BZX85C6V2 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C6V2 R0G 0.0645
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 3 V 6.2 V 4 ohmios
MBRS2045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2045CT 0.6433
RFQ
 ECAD 3883 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2045 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS2045CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF67G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF67G A0G -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF67 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
2M140Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M140Z A0G -
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M140 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 106.4 V 140 V 500 ohmios
S4J M6 Taiwan Semiconductor Corporation S4J M6 -
RFQ
 ECAD 2817 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4JM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
F1T2G A1G Taiwan Semiconductor Corporation F1T2G A1G -
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t2 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS3A Taiwan Semiconductor Corporation HS3A 0.2849
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS3ATR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS2J R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2J R5G 0.5300
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
S2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2DA R3G -
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C11P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD17C11P -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZD27C56P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C56P RFG -
RFQ
 ECAD 5622 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 43 V 56 V 60 ohmios
1N4936G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4936G A0G -
RFQ
 ECAD 5487 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4936 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
MMSZ5251B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5251B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5251 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 100 na @ 17 V 22 V 29 ohmios
ES2GALH Taiwan Semiconductor Corporation Es2galh 0.1491
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES2GALHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 27pf @ 4V, 1MHz
SFA1002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1002G C0G -
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1002 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
2M150ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m150zha0g -
RFQ
 ECAD 9913 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M150 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 114 V 150 V 575 ohmios
SF17G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF17G R0G -
RFQ
 ECAD 7940 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF17 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
6A100G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G 0.2520
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A100 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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