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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sk15bhm4g | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SK15 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5350H | 0.3459 | ![]() | 8823 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1PGSMC5350HV6G | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | ||||||||||||
![]() | S3JBH | 0.1210 | ![]() | 9505 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S3J | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 40pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
BZD27C56P M2G | - | ![]() | 3690 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 7.14% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 43 V | 56 V | 60 ohmios | ||||||||||||
![]() | Srt19h | - | ![]() | 4328 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | Schottky | TS-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRT19HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1PGSMC5357 m6g | - | ![]() | 7210 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5357M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||||
![]() | HER304GH | 0.2514 | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HER304GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BZX84C12 | 0.0511 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.42% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 300 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX84C12TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | MBR10150CT | 1.1700 | ![]() | 835 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR1015 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 980 MV @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR20L120CT | 1.1745 | ![]() | 1329 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR20 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 20A | 900 MV @ 20 A | 20 µA @ 120 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | HS3J R7G | - | ![]() | 8087 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HS3J | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
Ss210lhrtg | - | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS210 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||||
SS12 R3G | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SS12 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 200 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SF65GH | 0.3565 | ![]() | 8535 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF65 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SR204H | 0.1035 | ![]() | 1438 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SR204 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 2 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
BZD27C22P RHG | - | ![]() | 2161 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.66% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16 V | 22.05 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | Mbrs1645hmng | - | ![]() | 7934 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS1645 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | SR503 A0G | - | ![]() | 4526 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SR503 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||
BZD27C150PW | 0.4600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123W | BZD27 | 1 W | SOD-123W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 110 V | 150 V | 300 ohmios | ||||||||||||
![]() | ESH3C R6 | - | ![]() | 4184 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-she3cr6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
Es1jlhrfg | - | ![]() | 2576 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1J | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
S2BA | 0.0633 | ![]() | 4836 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | S2B | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 V @ 1.5 A | 1.5 µs | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBR2050PT C0G | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR2050 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 20A | 950 MV @ 20 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | 2M68Z B0G | - | ![]() | 5404 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m68 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 na @ 51.7 V | 68 V | 75 ohmios | ||||||||||||
![]() | HS2A | - | ![]() | 5653 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS2ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1PGSMB5940HR5G | - | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1PGSMB5940 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | ||||||||||||
![]() | SK83C V7G | - | ![]() | 6346 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Sk83 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | |||||||||||
![]() | S8mchm6g | - | ![]() | 2004 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S8MC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
SD101AW RHG | 0.0441 | ![]() | 6378 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SD101 | Schottky | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 60 V | 1 V @ 15 Ma | 1 ns | 200 na @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 15 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | S1malh | 0.4400 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | S1MA | Estándar | SMA Delgada | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8PF @ 4V, 1MHz |
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