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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SK310BH Taiwan Semiconductor Corporation Sk310bh 0.4600
RFQ
 ECAD 4015 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk310 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RS1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al rvg 0.5000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1SMA5941H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5941H 0.0995
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5941 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
1M200ZHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1m200zhr1g -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m200 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 152 V 200 V 1500 ohmios
BZD17C18P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD17C18P -
RFQ
 ECAD 2217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
BZD27C200P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200P RFG -
RFQ
 ECAD 9012 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
BZV55C16 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C16 L1G -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
UGF12JHC0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF12JHC0G -
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero UGF12 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 12 A 20 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
BAT54CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CW RFG 0.0466
RFQ
 ECAD 9420 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Cátodo Común 30 V 200 MMA 1 V @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125 ° C
SF2003PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2003PTHC0G -
RFQ
 ECAD 3583 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SF2003 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.1 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 175pf @ 4V, 1MHz
BZT52C9V1 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C9V1 RHG 0.2700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 450 na @ 6 V 9.1 V 15 ohmios
SS24LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss24lhmqg -
RFQ
 ECAD 6977 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS24 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRS2535CT MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2535CT mng -
RFQ
 ECAD 5866 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2535 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 25A 820 MV @ 20 A 200 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
S4D M6 Taiwan Semiconductor Corporation S4D M6 -
RFQ
 ECAD 4898 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S4DM6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SRA16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA16100HC0G -
RFQ
 ECAD 4104 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 SRA16100 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 16 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
HERAF805G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf805g -
RFQ
 ECAD 1453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERAF805G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMA180Z Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA180Z 0.1086
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA180 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 136.8 V 180 V 1200 ohmios
1PGSMA4746HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4746hr3g 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4746 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
SFAF1607GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1607GHC0G -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1607 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 16 A 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5359 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359 M6G -
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5359M6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 18.2 V 24 V 4 ohmios
MTZJ15SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ15SA 0.0305
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ15 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ15SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 11 V 13.79 V 40 ohmios
S4A V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4A V7G 1.0100
RFQ
 ECAD 830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
S10GCHV7G Taiwan Semiconductor Corporation S10GCHV7G 0.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX79B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B12 0.0305
RFQ
 ECAD 3885 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B12TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 8 Ma @ 100 MV 12 V 25 ohmios
SF46G Taiwan Semiconductor Corporation Sf46g 0.2688
RFQ
 ECAD 2253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF46 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS1MFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mfshmwg 0.4900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Rs1m Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
SS16LHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss16lhrtg -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
TSPB10U45S Taiwan Semiconductor Corporation Tspb10u45s -
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tspb10 Schottky SMPC4.0 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 460 MV @ 10 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SD101BW RHG Taiwan Semiconductor Corporation SD101BW RHG 0.0441
RFQ
 ECAD 2243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 50 V 950 MV @ 15 Ma 1 ns 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 125 ° C 15 Ma 2.1pf @ 0V, 1MHz
SS33 M6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss33 m6g -
RFQ
 ECAD 3162 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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