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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
RS2A R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS2A R5G -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB RS2A Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
TSZU52C2V4 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C2V4 0.0669
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C2V4TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
HS1ML RTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML RTG -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1M Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MMBD3004CC RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CC RFG 0.0616
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd3004 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 350 V 225 Ma 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 350 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZD27C16P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C16P 0.2753
RFQ
 ECAD 6332 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16.2 V 15 ohmios
SS35 M6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss35 m6g -
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS35 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES15DLWH Taiwan Semiconductor Corporation ES15DLWH 0.4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W ES15 Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1.5 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 24pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C24P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c24p mqg -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.83% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24 V 15 ohmios
HT14GH Taiwan Semiconductor Corporation HT14GH 0.1026
RFQ
 ECAD 4576 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HT14GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
S1ALHRTG Taiwan Semiconductor Corporation S1alhrtg -
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZV55B24 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B24 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
1PGSMA4758 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4758 0.1086
RFQ
 ECAD 7030 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4758 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 V 110 ohmios
MTZJ24SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj24sc 0.0305
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ24 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ24SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 19 V 23.72 V 35 ohmios
BZD27C33PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c33pwh 0.1787
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
S1DLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S1dlshrvg -
RFQ
 ECAD 9031 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1D Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
BZD17C15P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c15p mhg -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 15 V 10 ohmios
BZT52C56-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C56-G 0.0424
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C56-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 39.2 V 56 V 200 ohmios
SR104 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR104 A0G 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR104 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
2M15ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M15ZHB0G -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M15 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
S2JA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2JA R3G 0.4900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2J Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
TSSA5U50 M2G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50 M2G -
RFQ
 ECAD 9485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA TSSA5 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 540 MV @ 5 A 300 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
TSPB15U45S Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U45S 0.6906
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSPB15 Schottky SMPC4.0 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 560 MV @ 15 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
S3GBH Taiwan Semiconductor Corporation S3GBH 0.1210
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3g Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ56S Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj56s 0.0305
RFQ
 ECAD 3169 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ56 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ56STR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 43 V 56.5 V 110 ohmios
UDZS15B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS15B 0.0499
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F UDZS15 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-udzs15btr EAR99 8541.10.0050 6,000 45 na @ 11 V 15 V 40 ohmios
BZD27C33PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c33ph 0.2933
RFQ
 ECAD 5356 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C33PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
UF1M R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF1M R1G -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1M Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
ES3D R7G Taiwan Semiconductor Corporation ES3D R7G -
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC ES3D Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HER201G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER201G B0G -
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER201 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
LL4007G L0G Taiwan Semiconductor Corporation LL4007G L0G -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4007 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-LL4007GL0GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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