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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
GBL08HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbl08hd2g -
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL08 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
GBL202HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBL202HD2G -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBL202 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 2 a 5 µA @ 100 V 2 A Fase única 100 V
1N5404GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5404GHA0G -
RFQ
 ECAD 4065 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5404 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
1T6G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T6G A0G -
RFQ
 ECAD 9580 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial 1T6G Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
2A07GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07GHA0G -
RFQ
 ECAD 6976 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2A07 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
2M100Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M100Z A0G -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M100 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 76 V 100 V 175 ohmios
2M12ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m12zha0g -
RFQ
 ECAD 5992 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M12 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1 µA @ 9.1 V 12 V 4.5 ohmios
2M130ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m130zha0g -
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M130 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 98.8 V 130 V 400 ohmios
2M15Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M15Z A0G -
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M15 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 11.4 V 15 V 7 ohmios
2M160ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m160zha0g -
RFQ
 ECAD 3942 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M160 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 121.6 V 160 V 650 ohmios
2M17ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m17zha0g -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M17 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 13 V 17 V 9 ohmios
2M18ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m18zha0g -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M18 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 13.7 V 18 V 10 ohmios
2M27ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m27zha0g -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M27 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 20.6 V 27 V 18 ohmios
2M39Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M39Z A0G -
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m39 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 29.7 V 39 V 30 ohmios
2M39ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m39zha0g -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m39 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 29.7 V 39 V 30 ohmios
2M43Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M43Z A0G -
RFQ
 ECAD 2662 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m43 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 32.7 V 43 V 35 ohmios
2M47Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M47Z A0G -
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m47 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 35.8 V 47 V 40 ohmios
2M6.8ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m6.8zha0g -
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m6.8 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1 ma @ 5.5 V 6.8 V 1.5 ohmios
2M75ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m75zha0g -
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m75 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 56 V 75 V 90 ohmios
2M82ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m82zha0g -
RFQ
 ECAD 9193 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m82 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 62.2 V 82 V 100 ohmios
2M91Z A0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M91Z A0G -
RFQ
 ECAD 8051 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M91 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 69.2 V 91 V 125 ohmios
6A60G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60G A0G -
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A60 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
6A60GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A60GHA0G -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A60 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR10200CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CT 0.5302
RFQ
 ECAD 9686 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1020 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 10A 980 MV @ 10 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR10200HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200HC0G -
RFQ
 ECAD 9257 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1020 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBR1035 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035 C0G -
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1035 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 35 V 700 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBR1035CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035CTHC0G -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR1035 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 10A 800 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1035HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1035HC0G -
RFQ
 ECAD 2310 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1035 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 35 V 700 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBR1050 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1050 C0G -
RFQ
 ECAD 1627 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR1050 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBR1060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1060HC0G -
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR106 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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