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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
MBR2090CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2090CT C0G -
RFQ
 ECAD 9217 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2090 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20H100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H100CT 0.6433
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBR20L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CTHC0G -
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 850 MV @ 20 A 20 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2550CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2550CTHC0G -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR2550 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 25A 750 MV @ 25 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR4035PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4035PT C0G -
RFQ
 ECAD 6700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4035 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 40A 800 MV @ 40 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR4035PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4035PTHC0G -
RFQ
 ECAD 9619 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR4035 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 35 V 40A 800 MV @ 40 A 1 ma @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6090PT C0G -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR6090 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 60A 980 MV @ 60 A 1 ma @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR760HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR760HC0G -
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 MBR760 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t7gha0g -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t7 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
FR151GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr151gha0g -
RFQ
 ECAD 5120 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR151 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
GBLA005 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005 D2G -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA005 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBLA005HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbla005hd2g -
RFQ
 ECAD 6808 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA005 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBLA04 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA04 -
RFQ
 ECAD 7650 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA04 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 400 V 4 A Fase única 400 V
GBLA10 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA10 -
RFQ
 ECAD 1876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL GBLA10 Estándar GBL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 25 1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU1001HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1001HD2G -
RFQ
 ECAD 1281 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1001 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 50 V 10 A Fase única 50 V
GBU1002 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU1002 D2G -
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1002 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
GBU1005H Taiwan Semiconductor Corporation GBU1005H -
RFQ
 ECAD 7816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU1005 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
GBU15L05 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L05 2.7984
RFQ
 ECAD 9944 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 900 MV @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 15 A Fase única 600 V
GBU15L06 Taiwan Semiconductor Corporation GBU15L06 2.7984
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU15 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 960 MV @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 A Fase única 800 V
GBU401HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU401HD2G -
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU401 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
GBU402HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU402HD2G -
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU402 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
GBU407H Taiwan Semiconductor Corporation GBU407H 0.6044
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU407 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 A Fase única 1 kV
GBU601 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU601 D2G -
RFQ
 ECAD 8473 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU601 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 50 V 6 A Fase única 50 V
GBU603 D2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU603 D2G -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU603 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
GBU603HD2G Taiwan Semiconductor Corporation GBU603HD2G -
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU603 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
GBU604HD2G Taiwan Semiconductor Corporation Gbu604hd2g -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU604 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
GBU605H Taiwan Semiconductor Corporation GBU605H -
RFQ
 ECAD 1929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU605 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 600 V 6 A Fase única 600 V
GBU804 Taiwan Semiconductor Corporation GBU804 0.7104
RFQ
 ECAD 2618 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU804 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 400 V 8 A Fase única 400 V
GBU805H Taiwan Semiconductor Corporation GBU805H 0.8550
RFQ
 ECAD 6497 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU805 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
GP1006HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Gp1006hc0g -
RFQ
 ECAD 3841 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 800 V 10A 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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