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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SF63GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF63GHA0G -
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF63 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
TUAS6MH Taiwan Semiconductor Corporation Tuas6mh 0.2220
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuas6 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuas6mhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 39pf @ 4V, 1MHz
HS2B M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2B M4G -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2B Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
TUAU4MH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau4mh 0.2319
RFQ
 ECAD 3451 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau4 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu4mhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.9 v @ 4 a 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 33pf @ 4V, 1 MHz
1N4753AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4753AHB0G -
RFQ
 ECAD 8622 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4753 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
RS1GL M2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1gl m2g -
RFQ
 ECAD 2396 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1g Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C160PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrtg -
RFQ
 ECAD 1532 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
UF4004 Taiwan Semiconductor Corporation UF4004 0.0981
RFQ
 ECAD 4211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
S3A V7G Taiwan Semiconductor Corporation S3A V7G -
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
SFAS1008G MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfas1008g mng -
RFQ
 ECAD 2152 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS1008 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
RSFDL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFDL RHG -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
BZT55B56 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B56 L1G -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 42 V 56 V 135 ohmios
SR202 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR202 A0G -
RFQ
 ECAD 3987 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR202 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2A -
RS1BL MHG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bl mhg -
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SK12BHM4G Taiwan Semiconductor Corporation Sk12bhm4g -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SK12 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1M110Z Taiwan Semiconductor Corporation 1M110Z 0.1118
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M110 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 83.6 V 110 V 450 ohmios
1N4740G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G 0.0627
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4740 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4740GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 7.6 V 10 V 7 ohmios
SFAF503GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF503GHC0G -
RFQ
 ECAD 9583 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF503 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
HS2DA Taiwan Semiconductor Corporation HS2DA 0.0948
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS2D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
TSPB15U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB15U45S S1G 0.7845
RFQ
 ECAD 5319 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TSPB15 Schottky SMPC4.0 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 560 MV @ 15 A 300 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
F1T3GH Taiwan Semiconductor Corporation F1t3gh -
RFQ
 ECAD 6634 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Estándar TS-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-F1T3GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
1N4728G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4728G A0G -
RFQ
 ECAD 8054 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4728 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
2M22Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M22Z B0G -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m22 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 16.7 V 22 V 12 ohmios
BZT52B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 0.0412
RFQ
 ECAD 5594 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B2V4TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
PU3BBH Taiwan Semiconductor Corporation PU3BBH 0.5300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 930 MV @ 3 A 25 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 47pf @ 4V, 1 MHz
1SMB5944 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5944 0.1453
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5944 3 W DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
HS1AFL Taiwan Semiconductor Corporation HS1AFL 0.4100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F HS1A Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 11PF @ 4V, 1MHz
BZD17C16P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C16P R3G 0.2625
RFQ
 ECAD 8557 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.625% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
BYG20D R3G Taiwan Semiconductor Corporation Byg20d r3g -
RFQ
 ECAD 3448 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Byg20 Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 V @ 1.5 A 75 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a -
BZD27C18PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c18phmhg -
RFQ
 ECAD 8364 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 17.95 V 15 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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