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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LSR106 L0 | - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | Schottky | Asignar | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-LSR106L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 1 ma @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
SS15L RQG | - | ![]() | 5113 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS15 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 1 A | 400 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SSL24H | 0.7300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SSL24 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 410 MV @ 2 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | - | ||||||||||
![]() | Sr104ha0g | - | ![]() | 4707 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR104 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | HER1603PT | - | ![]() | 8314 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Estándar | TO-247AD (TO-3P) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HER1603PT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 16a (DC) | 1 v @ 8 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Ss215alh | 0.1035 | ![]() | 5775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | SS215 | Schottky | SMA Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS215AlHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 2 A | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BAV19WS RRG | 0.0470 | ![]() | 3900 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | BAV19 | Estándar | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 120 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | SRA1640H | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sra1640h | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 16 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | TSOD1F4HM RVG | - | ![]() | 9809 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | TSOD1 | Estándar | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 4PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | MBR2560CT | - | ![]() | 2478 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR2560 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 25A | 750 MV @ 25 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
Rsfalhrqg | - | ![]() | 5646 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFAL | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 500 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
Bzd17c33p mqg | - | ![]() | 5579 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRS25100CT mng | - | ![]() | 8173 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS25100 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 25A | 920 MV @ 25 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | MBR10150CT-Y | 0.4014 | ![]() | 9690 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR10150 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-MBR10150CT-Y | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 10A | 700 MV @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | Hs1jalh | 0.1008 | ![]() | 3077 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | Estándar | SMA Delgada | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HS1JALHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 13PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BAV19W RHG | 0.0474 | ![]() | 2853 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | BAV19 | Estándar | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 250 V | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 250 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | BAT42-L0 R0 | - | ![]() | 9243 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BAT42 | Schottky | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BAT42-L0R0 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 1 V @ 200 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||
![]() | S1dbhr5g | - | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S1D | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 1 a | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 12PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
1SMA4763 | 0.0944 | ![]() | 9008 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1SMA4763 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||
![]() | BZV55C4V7 L1G | - | ![]() | 1920 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BZV55C | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1 V @ 10 Ma | 500 na @ 1 V | 4.7 V | 60 ohmios | |||||||||||
Ss14lhmhg | - | ![]() | 6223 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS14 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 400 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | BZX584B56 | 0.0379 | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | BZX584 | 150 MW | Sod-523f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX584B56TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | MBRAD5200H | 0.7300 | ![]() | 8514 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MBRAD5200 | Schottky | Thindpak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 4.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 880 MV @ 5 A | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 78pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Zm4749a | 0.0830 | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZM4749 | 1 W | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-ZM4749ATR | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | UG54G A0G | - | ![]() | 5913 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | UG54 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 5 a | 20 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||
![]() | SF48GHB0G | - | ![]() | 1780 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF48 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SR009 R0G | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR009 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 500 Ma | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 65pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR2020HC0G | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR2020 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 20 V | 20A | 550 MV @ 10 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||
![]() | 2m120zha0g | - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M120 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 91.2 V | 120 V | 325 ohmios | ||||||||||||
![]() | S15KCHR7G | - | ![]() | 2390 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | S15K | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.1 V @ 15 A | 1 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 15A | 93pf @ 4V, 1MHz |
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