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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
2M150ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m150zha0g -
RFQ
 ECAD 9913 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M150 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 114 V 150 V 575 ohmios
1N4731G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4731G 0.0627
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4731 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4731GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 V 9 ohmios
FR103G Taiwan Semiconductor Corporation FR103G 0.0795
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-FR103GTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1PGSMC5366H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366H 0.3459
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 29.7 V 39 V 14 ohmios
S1JLHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1jlhmhg -
RFQ
 ECAD 7486 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1J Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
TSF20H100C Taiwan Semiconductor Corporation TSF20H100C 1.1298
RFQ
 ECAD 9459 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF20 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 810 MV @ 10 A 200 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF15GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF15GHB0G -
RFQ
 ECAD 1023 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF15 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B5V1 0.0412
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B5V1TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 1.8 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
ES1HLH Taiwan Semiconductor Corporation Es1hlh 0.2603
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES1HLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
HS1ML RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1ML RQG -
RFQ
 ECAD 3749 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1M Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
MBRF10150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10150HC0G -
RFQ
 ECAD 9603 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero MBRF1015 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.05 v @ 10 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
BZT52C20-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C20-G 0.0445
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C20-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 14 V 20 V 55 ohmios
BZX55B39 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B39 A0G -
RFQ
 ECAD 3269 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
BZD27C22PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c22phm2g -
RFQ
 ECAD 3186 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 16 V 22.05 V 15 ohmios
ES15JLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es15jlwhrvg -
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W ES15 Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1.5 A 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
S15DLWH Taiwan Semiconductor Corporation S15DLWH 0.4500
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S15D Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.1 V @ 1.5 A 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C11PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
SD101AW RHG Taiwan Semiconductor Corporation SD101AW RHG 0.0441
RFQ
 ECAD 6378 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 SD101 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 60 V 1 V @ 15 Ma 1 ns 200 na @ 60 V -65 ° C ~ 125 ° C 15 Ma 2pf @ 0V, 1 MHz
MMSZ5235B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5235B RHG 0.0433
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5235 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 3 µA @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
LS4148 L0G Taiwan Semiconductor Corporation LS4148 L0G 0.0235
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Variatura Sod-80 LS4148 Estándar Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1 V @ 450 Ma 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 450 mm 4PF @ 0V, 1MHz
SR803 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR803 A0G -
RFQ
 ECAD 1555 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR803 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
S5GC-K Taiwan Semiconductor Corporation S5GC-K 0.2203
RFQ
 ECAD 5951 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S5GC-KTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 5 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 34pf @ 4V, 1MHz
BZD17C75P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c75p mhg -
RFQ
 ECAD 2012 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
SS15L MHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss15l mhg -
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS15 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
S15JLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation S15jlwhrvg 0.3600
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S15J Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 V @ 1.5 A 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5a 10pf @ 4V, 1 MHz
FR203G R0G Taiwan Semiconductor Corporation FR203G R0G -
RFQ
 ECAD 6191 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR203 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
HS2A M4G Taiwan Semiconductor Corporation HS2A M4G -
RFQ
 ECAD 4565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS2A Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 50pf @ 4V, 1 MHz
SF48G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF48G B0G -
RFQ
 ECAD 8861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF48 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 4 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 80pf @ 4V, 1 MHz
UG12J Taiwan Semiconductor Corporation UG12J -
RFQ
 ECAD 5112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801 -ug12J EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 12 A 20 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
1SMA5937HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5937HR3G -
RFQ
 ECAD 2337 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5937 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 500 na @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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