Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Esh1dfsh | 0.1140 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Estándar | SOD-128 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-she1dfshtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 940 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BZX55C2V7 | 0.0287 | ![]() | 2964 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX55C2V7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 Ma | 10 µA @ 1 V | 2.7 V | 85 ohmios | |||||||||||
Bzd27c39phmqg | - | ![]() | 2890 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.12% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | SK810C M6G | - | ![]() | 3515 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Sk810 | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 8 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | FR153GHA0G | - | ![]() | 9736 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FR153 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SR115 R1G | - | ![]() | 3596 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR115 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 1 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | 1PGSMB5954H | 0.1798 | ![]() | 8201 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | |||||||||||||
![]() | UGA8120HC0G | - | ![]() | 3283 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | UGA8120 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 2.8 V @ 8 A | 70 ns | 5 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||||
![]() | Sfas808g | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SFAS808 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZX79B20 | 0.0305 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX79 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZX79B20TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 Ma | 14 Ma @ 50 MV | 20 V | 55 ohmios | |||||||||||
![]() | SS22 M4G | - | ![]() | 2422 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | HS5G R6 | - | ![]() | 9127 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5GR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SD103am3 | 0.0330 | ![]() | 1026 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | SD103 | Schottky | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SD103AM3TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 9,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 200 Ma | 5 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 350 mm | 50pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
BZD17C220P R3G | 0.5250 | ![]() | 3096 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.68% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 160 V | 220 V | 900 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBRS1550CT mng | - | ![]() | 9029 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | MBRS1550 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 50 V | 15A | 750 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
![]() | HER155G | 0.1129 | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | HER155 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 1.5 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 35pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Heraf1604g C0G | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Heraf1604 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 V @ 16 A | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 150pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
Bzd27c16 fhrug | - | ![]() | 3467 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.55% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12 V | 16.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4006GA0 | - | ![]() | 5253 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4006 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | US1BH | - | ![]() | 8743 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-US1BHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
US1JH | 0.0907 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | US1J | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MUR340S M6G | - | ![]() | 9435 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | MUR340 | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | Sfaf1604g | - | ![]() | 2519 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SFAF1604G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 975 MV @ 16 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 130pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | TSI30H150CW | - | ![]() | 7200 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Tsi30 | Schottky | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 15A | 900 MV @ 15 A | 150 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
BZD17C33P M2G | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 24 V | 33 V | 15 ohmios | ||||||||||||
ES1AL MTG | - | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Es2dvh | 0.1470 | ![]() | 8618 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | ES2D | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 2 A | 20 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | UDZS15B | 0.0499 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS15 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-udzs15btr | EAR99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 45 na @ 11 V | 15 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | Zm4753a l0g | 0.0830 | ![]() | 8093 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | ZM4753 | 1 W | Asignar | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||
![]() | Sr203ha0g | - | ![]() | 9146 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | SR203 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | - |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock