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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55B3V9 | 0.0385 | ![]() | 3278 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | 500 MW | Mmmmel | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-BZT55B3V9TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 85 ohmios | ||||||||||||
![]() | MUR160AHB0G | - | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | MUR160 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 27pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
Ss16l rhg | - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS16 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 1 A | 400 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | Ss29hm4g | - | ![]() | 4200 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS29 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||||
![]() | Sr103hr0g | - | ![]() | 9346 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR103 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | Ss115lh | 0.1116 | ![]() | 9150 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123 | SS115 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-SS115LHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 900 MV @ 1 A | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
Rsfjl rqg | - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rsfjl | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | TPMR10JH | 0.4983 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | TPMR10 | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-TPMR10JHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.8 V @ 10 A | 40 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 140pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Sft18g a0g | - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | SFT18 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
1PGSMA110Z R3G | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1PGSMA110 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1PGSMA110ZR3G | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 83.6 V | 110 V | 450 ohmios | |||||||||||
![]() | Sk35bh | - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK35BHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | SS34 R6G | - | ![]() | 8820 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS34R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 6a20ghr0g | - | ![]() | 6097 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | R-6, axial | 6A20 | Estándar | R-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Ss22hr5g | - | ![]() | 2809 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 2 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 2a | - | ||||||||||
RS2MA R3G | 0.4500 | ![]() | 526 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Rs2m | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Alfombra es1al | - | ![]() | 9922 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | ES1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
RS1DL RFG | - | ![]() | 2913 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | SR103 A0G | - | ![]() | 3926 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SR103 | Schottky | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 1 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||
TSSA5U60 M2G | - | ![]() | 9163 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | TSSA5 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 560 MV @ 5 A | 300 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||||
![]() | SK32B M4G | - | ![]() | 9987 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Sk32 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | MBR30H100CT | 1.0494 | ![]() | 7315 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MBR30 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 30A | 980 MV @ 30 A | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | 1SMB5939 R5G | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 1SMB5939 | 3 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | ||||||||||||
![]() | SS315 R6G | - | ![]() | 3553 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS315R6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BAT43 A0G | - | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | Do-35 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 5,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 30 V | 450 MV @ 15 Ma | 5 ns | 100 na @ 25 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 200 MMA | 7pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
Rsfjlhmhg | - | ![]() | 5613 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rsfjl | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 500 Ma | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Sk510bhr5g | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Sk510 | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 5 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||||
![]() | SR1040 | 0.4632 | ![]() | 7656 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR1040 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 10A | - | ||||||||||
![]() | BZS55C6V2 RXG | 0.0340 | ![]() | 4141 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 1206 (3216 Métrica) | BZS55 | 500 MW | 1206 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 na @ 2 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||
![]() | MUR190AHA0G | - | ![]() | 3141 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | MUR190 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | UF4007 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | UF4007 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 17PF @ 4V, 1MHz |
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