SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
DBLS157G Taiwan Semiconductor Corporation Dbls157g 0.7800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS157 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 1000 V 1.5 A Fase única 1 kV
DBLS205G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS205G 0.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS205 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.15 v @ 2 a 2 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
ES2DAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2dahr3g -
RFQ
 ECAD 3072 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES2D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
SK215A Taiwan Semiconductor Corporation Sk215a 0.4100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK215 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SK320A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK320A R3G -
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SK320 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK34B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK34B R5G 0.2316
RFQ
 ECAD 4402 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk34 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SK510B Taiwan Semiconductor Corporation Sk510b 0.2394
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk510 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SR105 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR105 A0G 0.5000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR105 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS110L Taiwan Semiconductor Corporation SS110L 0.5200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS110 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS14L Taiwan Semiconductor Corporation Ss14l 0.4800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS15L RVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss15l rvg 0.1071
RFQ
 ECAD 9382 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS15 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS1H15LW RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS1H15LW RVG 0.1517
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS1H15 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 850 MV @ 1 A 500 na @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SS220LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS220LWH 0.0948
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS220 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
S1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation S1KL R3G 0.4200
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
S1MLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation S1mls rvg 0.4100
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1ml Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
S1MLW Taiwan Semiconductor Corporation S1mlw 0.3500
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W S1ml Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
S2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation S2AA R3G -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA S2A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 30pf @ 4V, 1 MHz
S2M R5G Taiwan Semiconductor Corporation S2M R5G 0.4700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 30pf @ 4V, 1 MHz
S3AB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3AB R5G 0.6300
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3a Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3KB R5G -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
S4G R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4G R7G 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4g Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 4 a 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
S4J R7G Taiwan Semiconductor Corporation S4J R7G 0.5100
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 4 a 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SF34G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF34G A0G 1.0300
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF34 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SFF1006G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006G 1.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10a (DC) 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
RS1DLW RVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlw rvg 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W RS1D Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS1DLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlwhrvg 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W RS1D Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS1JLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlshrvg 0.0909
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H RS1J Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1.2 A 300 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
RS1MLSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mlshrvg 0.0909
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H Rs1m Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1.2 A 300 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
RS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation Rs1mlw 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Rs1m Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
RS2DA R3G Taiwan Semiconductor Corporation RS2DA R3G -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar