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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N5400G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G A0G -
RFQ
 ECAD 1964 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5400 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
RB751V-40WS RRG Taiwan Semiconductor Corporation RB751V-40WS RRG 0.2900
RFQ
 ECAD 163 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F RB751 Schottky Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 40 V 370 MV @ 1 MA 500 na @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C 30mera 2pf @ 1v, 1 MHz
ES1DHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Es1dhr3g -
RFQ
 ECAD 8263 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1D Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
HER1605PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1605PT C0G -
RFQ
 ECAD 9629 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 HER1605 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 16A 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF2008GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF2008GHC0G -
RFQ
 ECAD 5150 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF2008 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 80pf @ 4V, 1 MHz
TSUP15M45SH S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSUP15M45SH S1G 2.2800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tsup15 Schottky SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 15 A 350 µA @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C 15A 1803pf @ 4V, 1MHz
RS3A M6G Taiwan Semiconductor Corporation Rs3a m6g -
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Rs3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1N4764AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AH 0.1188
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
BZD27C15P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P RFG -
RFQ
 ECAD 5566 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 11 V 14.7 V 10 ohmios
UGF1005GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF1005GH 0.5148
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF1005 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TUGF1005GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.25 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
UF4002 R1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4002 R1G -
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4002 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BZX85C16 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C16 A0G -
RFQ
 ECAD 1442 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 12 V 16 V 15 ohmios
ES1CL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1CL RHG -
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1C Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
MBRS20150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20150CTH 0.7935
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS20150 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS20150CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFF1606G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1606G 1.5700
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1606 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 16 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 50pf @ 4V, 1 MHz
SSL34 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 R6G -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SSL34R6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 410 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1N4748AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4748AHR1G -
RFQ
 ECAD 2079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4748 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
ES1DAL Taiwan Semiconductor Corporation Es1dal 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES1D Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
UF4004HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4004HR1G -
RFQ
 ECAD 1449 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
SR504 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR504 B0G -
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR504 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
SR804HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr804ha0g -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR804 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 8 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8A -
S3KBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3kbhr5g -
RFQ
 ECAD 9515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3K Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
BZT55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C8V2 0.0350
RFQ
 ECAD 1917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
RS2JALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2jalh 0.0795
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2JALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 11PF @ 4V, 1MHz
BZY55C33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c33 ryg -
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
1N4756AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756AHR1G -
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
SF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SF1001 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr306ha0g -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR306 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MTZJ2V0SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 MV 1.99 V 100 ohmios
UR3KB60 Taiwan Semiconductor Corporation Ur3KB60 0.5154
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur3kb Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-UR3KB60 EAR99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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