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Diodos (14739)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1SMC5352 R7 | - |  | 2115 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1SMC5352R7TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | ||||||||||
| S10JC R6G | - | | 1293 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S10JCR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| S8KC R7 | - | | 9915 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S8KCR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| ES3J M6 | - | | 3981 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3JM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
| S4G R6 | - | | 3926 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4GR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| SK54C R6G | - | | 6092 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK54CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
| SK85C R6 | - | | 3216 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK85CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 8 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||
| SK520C R6G | - | | 5102 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK520CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 5 A | 300 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
| S12MC R6 | - | | 1783 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S12MCR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 12 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 12A | 78pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| MUR460S R6 | - | | 8902 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR460SR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
| SS320H | 0.2021 | | 9917 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 100 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
 | ES2AA | 0.1769 | | 9350 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES2AATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 2 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 25pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
| ES1A | - | | 9413 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES1ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 16PF @ 4V, 1MHz | |||||||
| Sk52bh | - | | 2616 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | |||||||||
| 1PGSMB5949 | 0.1689 | | 6354 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||||
| S4B | 0.2475 | | 6848 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| 1PGSMB5948H | 0.1798 | | 3140 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 69.2 V | 91 V | 200 ohmios | |||||||||||
| SS35H | - | | 3113 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS35HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 3 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||
| 1SMA4737 | 0.0649 | | 2441 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1SMA4737TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||||
| ES3JH | 0.2361 | | 3892 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| SS15 | 0.1560 | | 7234 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS15TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 1 A | 200 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||
| Sk29AH | - | | 6555 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK29AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 850 MV @ 2 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | - | ||||||||
| S3BH | - | | 7228 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3BHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
| Sk32b | - | | 7641 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK32BTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||
| 1PGSMB5931H | 0.1798 | | 7088 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | |||||||||||
| 1PGSMC5359H | 0.3459 | | 1445 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 4 ohmios | ||||||||||
| 1PGSMC5365H | 0.3459 | | 6446 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||
| 1PGSMB5946H | 0.1815 | | 9893 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | |||||||||||
| 1SMA4739 | 0.0649 | | 2292 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 1 W | DO-214AC (SMA) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1SMA4739TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | ||||||||||
| Sk15bh | - | | 4978 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sk15bhtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 1 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - |
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