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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX79C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C68 0.0333
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C68TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
ESH2BH Taiwan Semiconductor Corporation ESH2BH 0.1470
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-she2bhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 900 MV @ 2 A 20 ns 2 µA @ 100 V -55 ° C ~ 175 ° C 2A 25pf @ 4V, 1 MHz
HER106GH Taiwan Semiconductor Corporation HER106GH 0.1044
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER106GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
RS2KH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2kh 0.0964
RFQ
 ECAD 3610 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2KHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 v @ 2 a 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ2V0SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj2v0sb 0.0305
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ2V0SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 MV 2.11 V 100 ohmios
GBU604H Taiwan Semiconductor Corporation GBU604H 0.7051
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP, GBU GBU604 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBU604H EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 400 V 6 A Fase única 400 V
SS16LSH Taiwan Semiconductor Corporation Ss16lsh 0.0712
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS16 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS16LSHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRF10150H Taiwan Semiconductor Corporation Srf10150h 0.7277
RFQ
 ECAD 3417 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF10150 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRF10150H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10A 1 v @ 5 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
TUAR4DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuar4dh 0.2033
RFQ
 ECAD 3471 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuar4 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TUAR4DHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.4 v @ 4 a 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 31pf @ 4V, 1 MHz
UR3KB100 Taiwan Semiconductor Corporation Ur3KB100 0.5154
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur3kb Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-UR3KB100 EAR99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 1000 V 3 A Fase única 1 kV
BZY55B5V6 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b5v6 0.0413
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzy55b5v6tr EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 30 ohmios
HER205GH Taiwan Semiconductor Corporation HER205GH 0.1342
RFQ
 ECAD 2321 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER205GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
BZY55C15 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c15 0.0350
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZY55C15TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
BZD27C11PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c11ph 0.2933
RFQ
 ECAD 2138 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C11PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZD17C11P Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c11p 0.2625
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C11PTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
FR307GH Taiwan Semiconductor Corporation FR307GH 0.1881
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-FR307GHTR EAR99 8541.10.0080 3.750 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 3 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C6V8K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V8K 0.0474
RFQ
 ECAD 2079 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C6V8KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 500 na @ 3.5 V 6.8 V 15 ohmios
BZT55B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B12 0.0544
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B12TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
BZT52B68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B68-G 0.0461
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 410 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B68-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
HS1JH Taiwan Semiconductor Corporation HS1JH 0.0907
RFQ
 ECAD 4671 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1JHTR EAR99 8541.10.0080 15,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
GPAS1004 Taiwan Semiconductor Corporation GPAS1004 0.5148
RFQ
 ECAD 7381 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Estándar TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GPAS1004TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 10 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
BZS55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C12 0.0340
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZS55C12TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 9.1 V 12 V 20 ohmios
RS1JLSH Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlsh 0.0672
RFQ
 ECAD 4405 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1JLSHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1.2 A 300 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.2a -
TSZU52C33 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C33 0.0669
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C33TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25 V 33 V 80 ohmios
SRAS8150H Taiwan Semiconductor Corporation Sras8150h 0.6687
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras8150 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-sras8150htr EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 8 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
BZV55C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C10 0.0333
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C10TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
BZD27C100PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c100ph 0.3075
RFQ
 ECAD 4374 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C100PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
BZV55B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B3V9 0.0357
RFQ
 ECAD 3857 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B3V9TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
RS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2gfl 0.0888
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2GFLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 v @ 2 a 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 16PF @ 4V, 1MHz
BZT55B15 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B15 0.0385
RFQ
 ECAD 4870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B15TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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