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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C2V4S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S 0.0357
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C2V4STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
BZX84C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C5V6 0.0511
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C5V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
BZX584B5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B5V1 0.0639
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B5V1TR EAR99 8541.10.0050 104,000 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
BZX79C2V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C2V7 0.0287
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C2V7TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 75 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BZX84C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C8V2 0.0511
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.1% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C8V2TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 700 na @ 5 V 8.2 V 15 ohmios
BZX84C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C39 0.0511
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX84C39TR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
MMSZ5231B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5231B 0.0433
RFQ
 ECAD 3432 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5231 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5231BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 2 V 5.1 V 17 ohmios
BZT52C5V1S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V1S 0.0504
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C5V1STR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 1.8 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
RB520S-30 Taiwan Semiconductor Corporation RB520S-30 0.0330
RFQ
 ECAD 8722 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Schottky Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RB520S-30TR EAR99 8541.10.0070 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 600 MV @ 200 Ma 1 µA @ 10 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA -
BZV55C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C4V3 0.0333
RFQ
 ECAD 7832 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C4V3TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 1 µA @ 1 V 4.3 V 75 ohmios
BZT52B51S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B51S 0.0385
RFQ
 ECAD 3533 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b51str EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
BZT52C2V7-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7-G 0.0445
RFQ
 ECAD 5205 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZT52C 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C2V7-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
BZX584B39 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B39 0.0379
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B39TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 27.3 V 39 V 130 ohmios
BZX79C30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C30 0.0287
RFQ
 ECAD 1866 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C30TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 50 na @ 21 V 30 V 80 ohmios
BZV55C39 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C39 0.0333
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C39TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 28 V 39 V 90 ohmios
SRS2060 Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060 0.6949
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2060 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS2060TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52B4V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3 0.0412
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B4V3TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZX85C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C5V6 0.0645
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C5V6TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 1 µA @ 2 V 5.6 V 7 ohmios
BAS21 Taiwan Semiconductor Corporation BAS21 0.0322
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAS21TR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 250 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 1V, 1MHz
BZT52C68-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68-G 0.0424
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C68-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
MMSZ5239B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5239B 0.0433
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5239 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5239BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
MMSZ5236B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5236B 0.0433
RFQ
 ECAD 6485 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5236 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5236BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6 V 7.5 V 6 ohmios
MMSZ5237B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5237B 0.0437
RFQ
 ECAD 2649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5237 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5237BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 V 8 ohmios
1SS400 Taiwan Semiconductor Corporation 1SS400 0.0371
RFQ
 ECAD 4803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 1SS4 Estándar Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1SS400TR EAR99 8541.10.0080 8,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 4pf @ 500mv, 1 MHz
1N5229B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5229B 0.0271
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5229 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5229BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 22 ohmios
1N5247B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5247B 0.0271
RFQ
 ECAD 7229 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5247 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5247BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 13 V 17 V 19 ohmios
1N5240B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5240B 0.0271
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5240 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5240BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 8 V 10 V 17 ohmios
1N5251B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5251B 0.0271
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5251 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N5251BTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 17 V 22 V 29 ohmios
1N4746G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746G 0.0633
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4746 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4746GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20 ohmios
1SS355 Taiwan Semiconductor Corporation 1SS355 0.0315
RFQ
 ECAD 4643 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 1SS3 Estándar Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1SS355TR EAR99 8541.10.0080 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4pf @ 500mv, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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