SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Actual: Fuga Inversa @ VR Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZD17C39P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C39P RVG -
RFQ
 ECAD 1570 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
BZD17C43P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RVG -
RFQ
 ECAD 7870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
BZD17C75P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C75P RVG -
RFQ
 ECAD 8764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
BZD27C11P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C11P -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZD27C11PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11FRUG 0.2933
RFQ
 ECAD 1923 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 4 µA @ 8.2 V 11 V 7 ohmios
BZD27C12PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c12 frin 0.2933
RFQ
 ECAD 5231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 9.1 V 12.05 V 7 ohmios
BZD27C12PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C12PHRVG -
RFQ
 ECAD 6797 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 3 µA @ 9.1 V 12.05 V 7 ohmios
BZD27C130PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PW 0.1092
RFQ
 ECAD 6289 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 100 V 130 V 300 ohmios
BZD27C130PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c130pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 100 V 130 V 300 ohmios
BZD27C160PHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrvg -
RFQ
 ECAD 9266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
BZD27C16P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RVG -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16.2 V 15 ohmios
BZD27C16PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16PW 0.1638
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
BZD27C16PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c16pwh 0.1787
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 12 V 16 V 15 ohmios
BZD27C180PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PW 0.4800
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 130 V 180 V 450 ohmios
BZD27C18PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c18 fhrug -
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 13 V 17.95 V 15 ohmios
BZD27C18PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c18pwh 0.5400
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 13 V 18 V 15 ohmios
BZD27C200PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C200PW 0.4900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 150 V 200 V 750 ohmios
BZD27C220PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c220pwh 0.1191
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 160 V 220 V 900 ohmios
BZD27C24P RUG Taiwan Semiconductor Corporation Alfombra BZD27C24P -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24.2 V 15 ohmios
BZD27C27PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c27 fhrug 0.2933
RFQ
 ECAD 8368 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.03% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V 15 ohmios
BZD27C30PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C30PW 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
BZD27C33PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Frug bzd27c33 0.2933
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
BZD27C39PWH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c39pwh 0.6600
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123W BZD27 1 W SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 30 V 39 V 40 ohmios
BZD27C43PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c43 frenan 0.2933
RFQ
 ECAD 7823 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
1SMA120Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA120Z R3G -
RFQ
 ECAD 7083 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA120 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 91.2 V 120 V 550 ohmios
1SMA130ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA130ZHR3G -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA130 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 98.8 V 130 V 700 ohmios
1SMA160Z R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA160Z R3G -
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA160 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 121.6 V 160 V 1100 ohmios
1SMA200ZHR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA200ZHR3G -
RFQ
 ECAD 4413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA200 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1 µA @ 152 V 200 V 1500 ohmios
1SMA4737HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4737HR3G -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4737 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 5 µA @ 5 V 7.5 V 4 ohmios
1SMA4739HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4739HR3G -
RFQ
 ECAD 7541 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA4739 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 5 µA @ 7 V 9.1 V 5 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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