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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) |
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![]() | TS15PL05GHC2G | - | ![]() | 2843 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 900 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 15 A | Fase única | 600 V | |
![]() | TS15PL06G C2G | - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 930 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |
![]() | TS15PL06GHD2G | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS15PL06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 930 MV @ 7.5 A | 5 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |
![]() | TS20P01G C2G | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 50 V | 20 A | Fase única | 50 V | |
![]() | TS20P01G D2G | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 50 V | 20 A | Fase única | 50 V | |
![]() | TS20P01GHD2G | - | ![]() | 4262 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 50 V | 20 A | Fase única | 50 V | |
![]() | TS20P02GHC2G | - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 100 V | 20 A | Fase única | 100 V | |
![]() | TS20P02GHD2G | - | ![]() | 7924 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 100 V | 20 A | Fase única | 100 V | |
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![]() | TS20P05GHC2G | - | ![]() | 8134 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 600 V | 20 A | Fase única | 600 V | |
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![]() | TS20P06GH | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 800 V | 20 A | Fase única | 800 V | |
![]() | TS20P07G | - | ![]() | 7459 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 1000 V | 20 A | Fase única | 1 kV | |
![]() | TS20P07GH | - | ![]() | 9893 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS20P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 50 V | 20 A | Fase única | 1 kV | |
![]() | TS25P01GHC2G | - | ![]() | 1339 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | |
![]() | TS25P01GHD2G | - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | |
![]() | TS25P02G C2G | - | ![]() | 4162 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 100 V | 25 A | Fase única | 100 V | |
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![]() | TS25P06G C2G | - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | |
![]() | TS25P06GHC2G | - | ![]() | 3501 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | |
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![]() | TS25P07GH | 1.4526 | ![]() | 8505 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS25P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | |
![]() | TS35P05G | 2.7800 | ![]() | 896 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS35P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |
![]() | TS35P05GHC2G | - | ![]() | 7718 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS35P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |
![]() | TS35P06GH | 1.5366 | ![]() | 1987 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS35P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V |
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