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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
KBU802G Taiwan Semiconductor Corporation KBU802G -
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-KBU802G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 100 V 8 A Fase única 100 V
SR102H Taiwan Semiconductor Corporation SR102H -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR102HTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
GBLA005 Taiwan Semiconductor Corporation GBLA005 -
RFQ
 ECAD 8360 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL Estándar GBL - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-GBLA005 EAR99 8541.10.0080 1.200 1 v @ 4 a 5 µA @ 50 V 3 A Fase única 50 V
MBR1650H Taiwan Semiconductor Corporation MBR1650H -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBR1650H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 16 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
GPA805 Taiwan Semiconductor Corporation GPA805 -
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-GPA805 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 50pf @ 4V, 1 MHz
SRA2060 Taiwan Semiconductor Corporation SRA2060 -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRA2060 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SR1620PT Taiwan Semiconductor Corporation SR1620PT 1.9651
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR1620 Schottky TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR1620PT EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 20 V 16a (DC) 550 MV @ 8 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C
SF61G Taiwan Semiconductor Corporation Sf61g -
RFQ
 ECAD 4033 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF61GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
SR103 Taiwan Semiconductor Corporation SR103 -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR103TR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SFAF2006G Taiwan Semiconductor Corporation Sfaf2006g -
RFQ
 ECAD 8582 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFAF2006G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1 MHz
HERA807G Taiwan Semiconductor Corporation Hera807g -
RFQ
 ECAD 8130 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HERA807G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 8 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 55pf @ 4V, 1 MHz
MUR820 Taiwan Semiconductor Corporation MUR820 -
RFQ
 ECAD 8304 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR820 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 8 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
DBL153GH Taiwan Semiconductor Corporation DBL153GH -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Estándar DBL - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-DBL153GH EAR99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1.5 A 2 µA @ 200 V 1.5 A Fase única 200 V
1N4003GH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003GH -
RFQ
 ECAD 2466 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1N4003GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SR809 Taiwan Semiconductor Corporation SR809 -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR809TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 920 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
SFA1001GH Taiwan Semiconductor Corporation SFA1001GH -
RFQ
 ECAD 1770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Estándar TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFA1001GH EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SRA1050H Taiwan Semiconductor Corporation SRA1050H -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 Schottky TO20AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sra1050h EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 10 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
MBRF16100 Taiwan Semiconductor Corporation MBRF16100 -
RFQ
 ECAD 2209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBRF16100 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 16 A 300 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SRAF1660H Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1660H -
RFQ
 ECAD 4859 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SRAF1660H EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 16 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRF1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1645H -
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Schottky ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1645H EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 630 MV @ 16 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation SR105H -
RFQ
 ECAD 5265 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Schottky DO-204Al (DO-41) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR105HTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR1690PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR1690 PTH -
RFQ
 ECAD 6844 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR1690 Schottky TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR1690 PTH EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 16a (DC) 900 MV @ 8 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF68G Taiwan Semiconductor Corporation Sf68g 0.8700
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 6 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 50pf @ 4V, 1 MHz
HER1603G Taiwan Semiconductor Corporation HER1603G 0.8244
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HER1603G EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 16a (DC) 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
GP1603 Taiwan Semiconductor Corporation GP1603 -
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 Estándar Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-GP1603 EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 16a (DC) 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
UGF12J Taiwan Semiconductor Corporation UGF12J -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TUGF12J EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2 V @ 12 A 20 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A -
SR2090PTH Taiwan Semiconductor Corporation Sr2090pth -
RFQ
 ECAD 5493 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR2090 Schottky TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR2090 PTH EAR99 8541.10.0080 30 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 90 V 20A (DC) 920 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C
UGF8JD Taiwan Semiconductor Corporation UGF8JD -
RFQ
 ECAD 1940 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Estándar ITO-220AC - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801 -ugf8jd EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 2.3 V @ 8 A 30 ns 500 na @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
SR3050PT Taiwan Semiconductor Corporation SR3050PT -
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SR3050 Schottky TO-247AD (TO-3P) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR3050PT EAR99 8541.10.0080 900 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 30A (DC) 700 MV @ 15 A 1 ma @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR805 Taiwan Semiconductor Corporation SR805 0.3308
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Schottky Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SR805TR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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