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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max)
TS8P04GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P04GHC2G -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P04 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 400 V 8 A Fase única 400 V
TS8P05G Taiwan Semiconductor Corporation Ts8p05g 1.0245
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P05 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 600 V 8 A Fase única 600 V
TS8P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 800 V 8 A Fase única 800 V
TS8P07G Taiwan Semiconductor Corporation Ts8p07g -
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
TS8P07GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS8P07GHC2G -
RFQ
 ECAD 9320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS8P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 1000 V 8 A Fase única 1 kV
TSS4B01G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B01G C2G -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B01 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
TSS4B01GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B01GHC2G -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B01 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 A Fase única 50 V
TSS4B02G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B02G C2G -
RFQ
 ECAD 4461 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B02 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
TSS4B02GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B02GHD2G -
RFQ
 ECAD 8066 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B02 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 100 V 4 A Fase única 100 V
TSS4B03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B03GHC2G -
RFQ
 ECAD 3333 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-4B TSS4B03 Estándar TS4B descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 980 MV @ 4 A 5 µA @ 200 V 4 A Fase única 200 V
UGA8120 C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA8120 C0G -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 UGA8120 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1200 V 2.8 V @ 8 A 70 ns 5 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A -
SRA1090HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1090HC0G -
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA1090 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
SRF1650HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Srf1650hc0g -
RFQ
 ECAD 4741 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1650 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRF1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRF1660 -
RFQ
 ECAD 5498 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SRF1660 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
TS10K40 D3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40 D3G -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL TS10K40 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
TS10K40HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10K40HD3G -
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL TS10K40 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
TS10K80H Taiwan Semiconductor Corporation TS10K80H 0.7367
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBL TS10K80 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
TS10KL60 Taiwan Semiconductor Corporation TS10KL60 -
RFQ
 ECAD 4875 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJL TS10KL60 Estándar KBJL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 5 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
TS10KL80HD3G Taiwan Semiconductor Corporation TS10KL80HD3G -
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBJL TS10KL80 Estándar KBJL descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 5 a 5 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
TS10P02G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P02G C2G -
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
TS10P02GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P02GHD2G -
RFQ
 ECAD 6190 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 100 V 10 A Fase única 100 V
TS10P04G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P04G C2G -
RFQ
 ECAD 7475 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P04 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 400 V 10 A Fase única 400 V
TS10P06G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06G C2G -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
TS10P06G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06G 0.9495
RFQ
 ECAD 1296 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
TS10P06GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P06GHC2G -
RFQ
 ECAD 3701 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P06 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 800 V 10 A Fase única 800 V
TS10P07G C2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P07G C2G -
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS10P07 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 1000 V 10 A Fase única 1 kV
TS15P01GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P01GHC2G -
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P01 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 50 V 15 A Fase única 50 V
TS15P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P02G D2G -
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P02 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 100 V 15 A Fase única 100 V
TS15P03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P03G D2G -
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
TS15P03GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P03GHC2G -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS-6P TS15P03 Estándar TS-6P descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 15 1.1 V @ 15 A 10 µA @ 200 V 15 A Fase única 200 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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