SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZX585B5V6 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B5V6 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 900 na @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
1PGSMA4750HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsma4750hr3g 0.4300
RFQ
 ECAD 690 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1PGSMA4750 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.800 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
ES2C R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2C R5G 0.7700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2C Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 25pf @ 4V, 1 MHz
US1B Taiwan Semiconductor Corporation US1B 0.1208
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-US1BTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SS24ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss24alh 0.1041
RFQ
 ECAD 7682 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS24 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS24AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 570 MV @ 2 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 124pf @ 4V, 1MHz
BZV55C47 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C47 L0G 0.0333
RFQ
 ECAD 3209 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 35 V 47 V 110 ohmios
SK55CH Taiwan Semiconductor Corporation Sk55ch -
RFQ
 ECAD 5579 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-sk55Chtr EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
ES1C Taiwan Semiconductor Corporation ES1C -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Estándar DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES1CTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
MUR440S R6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S R6 -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-MOR440SR6TR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
1N5393G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393G R0G -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 1N5393 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 15pf @ 4V, 1 MHz
UDZS10B R9G Taiwan Semiconductor Corporation UDZS10B R9G 0.0354
RFQ
 ECAD 8274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Udzs10 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 180 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
BZX55B3V0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B3V0 A0G -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 100 Ma 4 µA @ 1 V 3 V 85 ohmios
SS320 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS320 R7 -
RFQ
 ECAD 6464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SS320R7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
1M130Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1M130Z B0G -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1m130 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 98.8 V 130 V 700 ohmios
BZD27C16PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c16phrfg -
RFQ
 ECAD 3339 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16.2 V 15 ohmios
1N4764A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764A 0.1118
RFQ
 ECAD 8696 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4764 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 76 V 100 V 350 ohmios
1N5253B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5253B A0G -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5253 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 18 V 25 V 35 ohmios
S10MCH Taiwan Semiconductor Corporation S10mch 0.2379
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
S1MFSH Taiwan Semiconductor Corporation S1mfsh 0.0590
RFQ
 ECAD 3002 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 S1MF Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 1 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
BZD27C68P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C68P RVG 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51 V 68 V 80 ohmios
SS15 M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS15 m2g -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS15 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SR009HR1G Taiwan Semiconductor Corporation Sr009hr1g -
RFQ
 ECAD 1553 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR009 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 500 Ma 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 65pf @ 4V, 1 MHz
SS16L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RQG -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS16 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
FR152G A0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152G A0G -
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial FR152 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
RS1JFSHMWG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jfshmwg 0.4700
RFQ
 ECAD 346 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 RS1J Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
BZD17C33PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c33ph 0.2790
RFQ
 ECAD 3486 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C33PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 24 V 33 V 15 ohmios
1N4006GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006GHR1G -
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
UG06D A1G Taiwan Semiconductor Corporation UG06D A1G -
RFQ
 ECAD 9291 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
MBRF1060CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1060CT-Y 0.3912
RFQ
 ECAD 3861 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1060 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1060CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 10A 880 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES15GLWH Taiwan Semiconductor Corporation ES15GLWH 0.1206
RFQ
 ECAD 8392 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W ES15 Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.5 A 35 ns 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 21pf @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

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