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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
UR2KB60 Taiwan Semiconductor Corporation Ur2KB60 0.4295
RFQ
 ECAD 8091 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur2kb Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-UR2KB60 EAR99 8541.10.0080 1.500 1.05 v @ 1 a 10 µA @ 600 V 2 A Fase única 600 V
MBRF1545CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1545CT-Y 0.4530
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1545 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1545CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 950 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFAF1603G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1603G C0G -
RFQ
 ECAD 7065 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1603 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 130pf @ 4V, 1MHz
SS34 Taiwan Semiconductor Corporation Ss34 0.1983
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss34 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
LL4005G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4005G L0 -
RFQ
 ECAD 2488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4005 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado LL4005GL0 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
HS1AL MQG Taiwan Semiconductor Corporation Hs1al mqg -
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
1N5400G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400G A0G -
RFQ
 ECAD 1964 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5400 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
UF1J B0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1J B0G -
RFQ
 ECAD 5526 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1J Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BZY55C33 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c33 ryg -
RFQ
 ECAD 8036 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
ES1DAL Taiwan Semiconductor Corporation Es1dal 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES1D Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
UF4004HR1G Taiwan Semiconductor Corporation UF4004HR1G -
RFQ
 ECAD 1449 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF4004 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
BZT52B2V7 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V7 RHG 0.0412
RFQ
 ECAD 8884 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 18 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
SFF1002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002G C0G -
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1002 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5408G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408G R0G 0.1215
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5408 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
MBR20100PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100PT -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 MBR20100 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SF21GH Taiwan Semiconductor Corporation SF21GH -
RFQ
 ECAD 3598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF21GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 2 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 40pf @ 4V, 1 MHz
RS2JALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2jalh 0.0795
RFQ
 ECAD 5924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS2JALHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 v @ 2 a 250 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 11PF @ 4V, 1MHz
MMBD3004CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CA RFG 0.3700
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbd3004 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Ánodo Común 350 V 225 Ma 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 350 V -65 ° C ~ 150 ° C
HS3JB Taiwan Semiconductor Corporation HS3JB 0.1377
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB HS3J Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 75 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 50pf @ 4V, 1 MHz
HERAF1007G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Heraf1007g C0G -
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero Heraf1007 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 10 A 80 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
MBR2060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 3944 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR2060 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 950 MV @ 20 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
S2JFL Taiwan Semiconductor Corporation S2jfl 0.0825
RFQ
 ECAD 2411 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123F Estándar SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S2JFLTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 10pf @ 4V, 1 MHz
KBU603G Taiwan Semiconductor Corporation Kbu603g 1.7406
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBU Estándar Kbu - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-KBU603G EAR99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µA @ 200 V 6 A Fase única 200 V
SRS1660 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1660 0.7722
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1660 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS1660TR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR460S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR460S V7G -
RFQ
 ECAD 9917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur460 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SK36B R5G Taiwan Semiconductor Corporation SK36B R5G -
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB Sk36 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZT55C8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C8V2 0.0350
RFQ
 ECAD 1917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C8V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
SS39 R7G Taiwan Semiconductor Corporation SS39 R7G -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS39 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS320LWH Taiwan Semiconductor Corporation SS320LWH 0.4300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS320 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 3 A 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
RSFML R3G Taiwan Semiconductor Corporation RSFML R3G 0.1491
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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