SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
M3Z33VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z33VC 0.0294
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z33 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z33VCTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 24 V 33 V 80 ohmios
SS19LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss19lhmqg -
RFQ
 ECAD 1816 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT55C7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C7V5 0.0350
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C7V5TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
HERF1008G Taiwan Semiconductor Corporation Herf1008g 0.5661
RFQ
 ECAD 6469 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 10A 1.7 V @ 10 A 80 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4756AHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4756AHR1G -
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4756 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
SF1001GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1001GHC0G -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 SF1001 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
HER108GH Taiwan Semiconductor Corporation HER108GH 0.1054
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER108GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
3A60 Taiwan Semiconductor Corporation 3A60 0.0977
RFQ
 ECAD 7855 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 3A60 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
GPA805HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA805HC0G -
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 GPA805 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 50pf @ 4V, 1 MHz
SS115 Taiwan Semiconductor Corporation SS115 0.0728
RFQ
 ECAD 1705 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS115 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 500 MV @ 1 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr306ha0g -
RFQ
 ECAD 9175 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR306 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HS3F M6G Taiwan Semiconductor Corporation HS3F M6G -
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3F Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRT15 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Srt15 a0g -
RFQ
 ECAD 4860 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Srt15 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD27C24P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c24p mhg -
RFQ
 ECAD 2311 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 18 V 24.2 V 15 ohmios
BZX55B6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B6V2 0.0304
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B6V2TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
UG2DH Taiwan Semiconductor Corporation UG2DH 0.1431
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial UG2D Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 35pf @ 4V, 1MHz
1PGSMC5365 R6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5365 R6G -
RFQ
 ECAD 2752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5365R6GTR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 27.4 V 36 V 11 ohmios
SF61G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G R0G -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF61 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 975 MV @ 6 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 100pf @ 4V, 1 MHz
MBR20H150CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20H150CT 1.6400
RFQ
 ECAD 543 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 970 MV @ 20 A 5 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
SS12HM2G Taiwan Semiconductor Corporation Ss12hm2g -
RFQ
 ECAD 4726 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA SS12 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 200 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SSL34 R6G Taiwan Semiconductor Corporation SSL34 R6G -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SSL34R6GTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 410 MV @ 3 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1M160Z R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1M160Z R1G -
RFQ
 ECAD 1791 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1M160 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 121.6 V 160 V 1100 ohmios
BZT52B3V3-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G RHG 0.0461
RFQ
 ECAD 6043 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
S5D M6G Taiwan Semiconductor Corporation S5D M6G -
RFQ
 ECAD 1299 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
S3MBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3mbhr5g 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3M Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
MBR40150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR40150PT 2.0507
RFQ
 ECAD 9742 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 MBR40150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 40A 1.01 v @ 40 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF20200CTH -
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF20200 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 200 V 20A 1.05 V @ 20 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSS43L Taiwan Semiconductor Corporation TSS43L 0.0916
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSS43 Schottky 1005 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSS43LTR EAR99 8541.10.0070 4.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
SFAF1606GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1606GHC0G -
RFQ
 ECAD 1315 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1606 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 16 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A 100pf @ 4V, 1 MHz
MBRS20150CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20150CTH 0.7935
RFQ
 ECAD 6416 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS20150 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS20150CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar