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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSZU52C5V1 RGG | 0.0669 |  | 1719 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 0603 (1608 Métrica) | Tszu52 | 150 MW | 0603 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 800 MV | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||
 | UDZS10B RRG | - | | 2288 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzs10 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 180 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | |||||||||
| UDZS12B RRG | - | | 3156 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS12 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 90 na @ 9 V | 12 V | 20 ohmios | |||||||||
| UDZS13B RRG | - | | 4749 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS13 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 10 V | 13 V | 40 ohmios | |||||||||
| UDZS16B RRG | 0.0416 | | 4886 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS16 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 45 na @ 12 V | 16 V | 40 ohmios | |||||||||
| UDZS5V6B RRG | - | | 3648 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | UDZS5 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 na @ 3 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||
| UDZS6V8B RRG | - | | 8222 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzs6 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.8 µA @ 4 V | 6.8 V | 30 ohmios | |||||||||
| UDZS8V2B RRG | - | | 1659 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzs8 | 200 MW | Sod-323f | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 630 na @ 5 V | 8.2 V | 30 ohmios | |||||||||
 | BZX55B11 A0G | - | | 9031 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 8.2 V | 11 V | 20 ohmios | ||||||||
| BZX55B47 A0G | - | | 8568 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 35 V | 47 V | 110 ohmios | ||||||||
| BZX55B4V3 A0G | - | | 5939 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 1 V | 4.3 V | 75 ohmios | ||||||||
| BZX55B62 A0G | - | | 6592 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 150 ohmios | ||||||||
| BZX55B8V2 A0G | - | | 9372 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 6.2 V | 8.2 V | 7 ohmios | ||||||||
| BZX55C18 A0G | - | | 1574 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 50 ohmios | ||||||||
| BZX55C39 A0G | - | | 9445 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 28 V | 39 V | 90 ohmios | ||||||||
| BZX55C43 A0G | - | | 6468 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 32 V | 43 V | 90 ohmios | ||||||||
| BZX55C51 A0G | - | | 1887 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | BZX55 | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 38 V | 51 V | 125 ohmios | ||||||||
 | 2M30Z A0G | - | | 4310 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M30 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||
| 2m30zha0g | - | | 4904 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M30 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 20 ohmios | |||||||||
| 2m36zha0g | - | | 2618 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m36 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 27.4 V | 36 V | 25 ohmios | |||||||||
| 2M68Z A0G | - | | 4475 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m68 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 51.7 V | 68 V | 75 ohmios | |||||||||
| 2m68zha0g | - | | 5338 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2m68 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 51.7 V | 68 V | 75 ohmios | |||||||||
| 2m91zha0g | - | | 1170 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M91 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 125 ohmios | |||||||||
 | F1t3gha0g | - | | 4761 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | F1t3 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| FR152GHA0G | - | | 6676 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | FR152 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 20pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
| 1N5399GHA0G | - | | 1890 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5399 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
| 2A02GHA0G | - | | 6030 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2A02 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.1 v @ 2 a | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
| 2M130Z A0G | - | | 8128 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M130 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 400 ohmios | |||||||||
| 2m13zha0g | - | | 9853 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M13 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 5 ohmios | |||||||||
| 2M14Z A0G | - | | 1243 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 2M14 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 500 na @ 10.6 V | 14 V | 5.5 ohmios |
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