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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S1GLS Taiwan Semiconductor Corporation S1GLS 0.0534
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H S1g Estándar Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1.2 A 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.2a -
SF31G Taiwan Semiconductor Corporation Sf31g -
RFQ
 ECAD 4045 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Estándar Do-201ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SF31GTR EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 3 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
S3A V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3a v6g -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3a Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4448WS Taiwan Semiconductor Corporation 1N444448WS 0.0279
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-90, SOD-323F 1N4448 Estándar Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N444448WSTR EAR99 8541.10.0080 9,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 5 µA @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
ES3HBH Taiwan Semiconductor Corporation ES3HBH -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-ES3HBHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 500 V 1.45 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 500 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 34pf @ 4V, 1MHz
SS14L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS14L RFG -
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
MBR30100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100CT-Y 0.7462
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30100 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR30100CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 30A 940 MV @ 30 A 200 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR504 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SR504 B0G -
RFQ
 ECAD 6519 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR504 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
UG56G B0G Taiwan Semiconductor Corporation UG56G B0G -
RFQ
 ECAD 7297 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial UG56 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.55 v @ 5 a 20 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
S3MHM6G Taiwan Semiconductor Corporation S3mhm6g -
RFQ
 ECAD 1865 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1 MHz
UR3KB60 Taiwan Semiconductor Corporation Ur3KB60 0.5154
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-ESIP Ur3kb Estándar D3K descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-UR3KB60 EAR99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 600 V 3 A Fase única 600 V
BAT42-L0 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT42-L0 A0G -
RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAT42 Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAT42-L0A0G EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
MTZJ2V0SA R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ2V0SA R0G 0.0305
RFQ
 ECAD 7924 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj2 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 500 MV 1.99 V 100 ohmios
ES2FH Taiwan Semiconductor Corporation ES2FH 0.1470
RFQ
 ECAD 8453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES2F Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 v @ 2 a 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1 MHz
GPA804HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GPA804HC0G -
RFQ
 ECAD 3682 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-2 GPA804 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 8 a 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 50pf @ 4V, 1 MHz
HER204G Taiwan Semiconductor Corporation HER204G 0.1247
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial HER204 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 2 a 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 35pf @ 4V, 1MHz
B0540W RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0540W RHG 0.4700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 B0540 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 510 MV @ 500 Ma 20 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 500mA 170pf @ 0V, 1 MHz
UGF2005G Taiwan Semiconductor Corporation UGF2005G 1.4200
RFQ
 ECAD 895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA UGF2005 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 20A 1.25 V @ 10 A 20 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
US1A M2G Taiwan Semiconductor Corporation US1A M2G -
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA US1A Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TST20L150CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20L150CW 2.1000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 TST20 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 960 MV @ 10 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
1N4746AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4746AHB0G -
RFQ
 ECAD 9230 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4746 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 5 µA @ 13.7 V 18 V 45 ohmios
SS16ALH Taiwan Semiconductor Corporation Ss16alh 0.0948
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads SS16 Schottky SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS16AlHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 710 MV @ 1 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 55pf @ 4V, 1 MHz
SS115L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS115L RTG -
RFQ
 ECAD 2407 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS115 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 900 MV @ 1 A 50 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZD17C68P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P RQG -
RFQ
 ECAD 3909 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 51 V 68 V 80 ohmios
ES1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1B R3G -
RFQ
 ECAD 2312 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA ES1B Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 16PF @ 4V, 1MHz
GP1605 Taiwan Semiconductor Corporation GP1605 -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-3 GP1605 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 16A 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C2V7K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V7K 0.0474
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C2V7KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 120 µA @ 1 V 2.7 V 100 ohmios
SRT16HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt16ha1g -
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial SRT16 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SSL33HM6G Taiwan Semiconductor Corporation Ssl33hm6g -
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 410 MV @ 3 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
SRAF1040 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1040 C0G -
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF1040 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 10 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 10A -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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