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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SFAF505GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF505GHC0G -
RFQ
 ECAD 6081 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF505 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 70pf @ 4V, 1MHz
SS24LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss24lhrqg -
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS24 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 2 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
1N4762AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4762AH 0.1188
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4762 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 62.2 V 82 V 200 ohmios
6A100G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A100G A0G -
RFQ
 ECAD 9082 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial 6A100 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 6 a 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
BZX585B51 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B51 RSG 0.0476
RFQ
 ECAD 1740 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX585B5 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 8,000 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
ES1DFSH Taiwan Semiconductor Corporation Es1dfsh 0.1131
RFQ
 ECAD 6860 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES1DFSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 18pf @ 4V, 1 MHz
MUR360SBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation MUR360SBHR5G -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB MUR360 Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
BZT52B15S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B15S 0.0510
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzt52b15str EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 10.5 V 15 V 30 ohmios
SS13LSHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Ss13lshrvg 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS13 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 500 MV @ 1 A 400 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
RS1DLHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlhr3g 0.1932
RFQ
 ECAD 1305 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C100PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c100phmtg -
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 75 V 100 V 200 ohmios
HS1KFSH Taiwan Semiconductor Corporation HS1KFSH 0.0741
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 Estándar SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1KFSHTR EAR99 8541.10.0080 28,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8PF @ 4V, 1MHz
UG06DHA0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06DHA0G -
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial UG06 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 600 Ma 15 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 600mA 9PF @ 4V, 1MHz
MBRS1050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS1050 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 900 MV @ 10 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAV20W-G Taiwan Semiconductor Corporation BAV20W-G 0.0347
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Bav20 Estándar SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV20W-GTR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 150 V 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
S1ALHRQG Taiwan Semiconductor Corporation S1alhrqg -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
1N5408G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408G B0G -
RFQ
 ECAD 2355 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5408 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 v @ 3 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
SFT11GH Taiwan Semiconductor Corporation Sft11gh -
RFQ
 ECAD 8712 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero T-18, axial Estándar TS-1 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SFT11GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS5KH Taiwan Semiconductor Corporation HS5KH 0.2928
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS5KHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
RS1ALHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Rs1alhm2g -
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RS1A Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
SS12LHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Ss12lhmtg -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS12 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RS1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1bl rtg -
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1b Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
HS1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1M R3G -
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AC, SMA HS1M Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
F1T5G A0G Taiwan Semiconductor Corporation F1T5G A0G -
RFQ
 ECAD 4770 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero T-18, axial F1t5 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BAS21A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAS21A RFG 0.0523
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BAS21 Estándar Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 1 par Ánodo Común 250 V 200 MMA 1.25 V @ 200 Ma 50 ns 100 na @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B5V6 L0G 0.0357
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 1 V 5.6 V 25 ohmios
SRAS2060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras2060 mng -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras2060 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
SF18G B0G Taiwan Semiconductor Corporation SF18G B0G -
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF18 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S3GBHR5G Taiwan Semiconductor Corporation S3gbhr5g -
RFQ
 ECAD 8064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB S3g Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.15 v @ 3 a 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1 MHz
S2D Taiwan Semiconductor Corporation S2d 0.0859
RFQ
 ECAD 5505 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB S2d Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 2 a 1.5 µs 1 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 30pf @ 4V, 1 MHz
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    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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