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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Sras2060 mng | - | ![]() | 8471 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sras2060 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 20 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
![]() | BAS21A RFG | 0.0523 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS21 | Estándar | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 250 V | 200 MMA | 1.25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | SR1060 | 0.4632 | ![]() | 2465 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR1060 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||
Ss12lhmtg | - | ![]() | 5479 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | SS12 | Schottky | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | SF18G B0G | - | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | SF18 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | BZV55B5V6 L0G | 0.0357 | ![]() | 2016 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Bzv55b | 500 MW | Mini Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 Ma | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 25 ohmios | |||||||||||
Rs1alhm2g | - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1A | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Rs1bl rtg | - | ![]() | 3286 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | Rs1b | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
Bzd27c100phmtg | - | ![]() | 8615 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 1 W | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5408G B0G | - | ![]() | 2355 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | 1N5408 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 v @ 3 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 25pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Sft11gh | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | Estándar | TS-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SFT11GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | F1T5G A0G | - | ![]() | 4770 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | F1t5 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | HS2D | 0.1207 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | HS2D | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | S2mhr5g | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | S2M | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | MMSZ5226B RHG | 0.0433 | ![]() | 3332 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | MMSZ5226 | 500 MW | SOD-123F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 25 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBR1645 C0G | - | ![]() | 7353 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Un 220-2 | MBR1645 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 630 MV @ 16 A | 500 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - | ||||||||||
![]() | MUR4L20 B0G | - | ![]() | 1626 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | MUR4L20 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 890 MV @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
TSN520M60 | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | TSN520 | Schottky | 8-PDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 580 MV @ 20 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | |||||||||||
![]() | HS5KH | 0.2928 | ![]() | 7734 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5KHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Rs3d r7g | - | ![]() | 5432 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3d | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
RSFML | 0.0692 | ![]() | 1827 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-219AB | RSFML | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 500 Ma | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 4PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Rs3jhr7g | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Rs3j | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | MUR190 | 0.1366 | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | MUR190 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 900 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 900 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
S1alhrug | - | ![]() | 9279 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | S1a | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 9PF @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Ht13g a1g | - | ![]() | 6134 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Cinta y Caja (TB) | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | T-18, axial | HT13 | Estándar | TS-1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | SR4060PT C0G | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SR4060 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 40A | 700 MV @ 20 A | 1 ma @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||
Rs1dl rqg | - | ![]() | 3854 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-219AB | RS1D | Estándar | Subma | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 800 Ma | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Srt19 | - | ![]() | 5282 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | T-18, axial | Schottky | TS-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRT19TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 800 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4002GHA0G | - | ![]() | 4247 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Cinta y Caja (TB) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4002 | Estándar | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | MBR6045PTHC0G | - | ![]() | 1870 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | MBR6045 | Schottky | TO-247AD (TO-3P) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 45 V | 60A | 820 MV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C |
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