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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
HDBLS101G C1G Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS101G C1G -
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HDBLS101 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 A Fase única 50 V
2M180Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M180Z 0.1565
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M180 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3,500 500 na @ 136.8 V 180 V 725 ohmios
RSFAL RTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL RTG -
RFQ
 ECAD 6799 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFAL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SF1006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1006GHC0G -
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SF1006 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1 MHz
SFF1003G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1003G C0G -
RFQ
 ECAD 3632 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1003 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC5010 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC5010 T0G -
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC40 GBPC5010 Estándar GBPC40 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 25 a 10 µA @ 1000 V 50 A Fase única 1 kV
SF3001PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF3001PT C0G -
RFQ
 ECAD 9617 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 SF3001 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 15 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
S1AL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1al rhg -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB S1a Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 1 a 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 9PF @ 4V, 1MHz
ES1DLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhmqg -
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S5JH Taiwan Semiconductor Corporation S5JH 0.2267
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-S5JHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 5 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
GBPC3504M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3504M T0G -
RFQ
 ECAD 1198 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC3504 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 400 V 35 A Fase única 400 V
UF1DHB0G Taiwan Semiconductor Corporation UF1DHB0G -
RFQ
 ECAD 9853 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial UF1D Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 17PF @ 4V, 1MHz
GBPC3502 T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3502 T0G -
RFQ
 ECAD 7320 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Terminal QC 4 Cuadrado, GBPC GBPC3502 Estándar GBPC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 A Fase única 200 V
MTZJ4V7SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj4v7sc 0.0305
RFQ
 ECAD 9275 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj4 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ4V7SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 4.81 V 80 ohmios
3A60HA0G Taiwan Semiconductor Corporation 3A60HA0G -
RFQ
 ECAD 8345 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 3A60 Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 27pf @ 4V, 1MHz
PU6DCH Taiwan Semiconductor Corporation Pu6dch 0.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 940 MV @ 6 A 25 ns 2 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 110pf @ 4V, 1MHz
S12MC R7 Taiwan Semiconductor Corporation S12MC R7 -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-S12MCR7TR EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.1 v @ 12 a 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
RS1KLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1klhmqg -
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB Rs1k Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 800 Ma 500 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
1N5400GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5400GHB0G -
RFQ
 ECAD 8612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial 1N5400 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.1 v @ 3 a 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 25pf @ 4V, 1 MHz
DBLS209GH Taiwan Semiconductor Corporation DBLS209GH 0.3192
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota DBLS209 Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 1.3 v @ 2 a 2 µA @ 1400 V 2 A Fase única 1.4 kV
SFAS801GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sfas801ghmng -
RFQ
 ECAD 6901 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFAS801 Estándar To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
SRS1650HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Srs1650hmng -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS1650 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 16A 700 MV @ 8 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55C15 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C15 0.0343
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZS55C15TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
TSF40H150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H150C 1.7502
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF40 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 20A 710 MV @ 20 A 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
HT17G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Ht17g a1g -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial HT17 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
S10GC M6G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC M6G -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
1N4006G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4006G A0G -
RFQ
 ECAD 1314 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4006 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
1N4933G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4933G R1G -
RFQ
 ECAD 7789 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4933 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TSF40L60C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L60C -
RFQ
 ECAD 9470 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA TSF40 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 630 MV @ 20 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS15LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation Ss15lhmqg -
RFQ
 ECAD 7036 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS15 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
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AD9208BBPZ-3000

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