SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MUR340SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340SHM6G -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC MUR340 Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
LL4006G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4006G L0 -
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie Do-213ab, melf LL4006 Estándar Asignar descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado LL4006GL0 EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 v @ 1 a 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C160PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c160phrhg -
RFQ
 ECAD 4649 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 120 V 162 V 350 ohmios
MBRS2045CT-Y MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2045CT-Y MNG -
RFQ
 ECAD 2673 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS2045 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 20A 700 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
SFA1004G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1004G C0G -
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SFA1004 Estándar TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 975 MV @ 10 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 70pf @ 4V, 1MHz
SF11GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sf11ghr0g -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SF11 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
SFF1002GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFF1002GHC0G -
RFQ
 ECAD 3991 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1002 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10a (DC) 975 MV @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR202HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr202ha0g -
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR202 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
SFAF1006GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1006GHC0G -
RFQ
 ECAD 4817 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF1006 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
RSFML RVG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML RVG 0.0616
RFQ
 ECAD 9669 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFML Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.3 V @ 500 Ma 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SR220HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr220hb0g -
RFQ
 ECAD 6283 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR220 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SRAS850HMNG Taiwan Semiconductor Corporation Sras850hmng -
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sras850 Schottky To-263ab (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 8 A 100 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A -
SS215 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS215 R5G -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AA, SMB SS215 Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 2 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SRA1640HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA1640HC0G -
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA1640 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 16 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 16A -
SR16150PTH Taiwan Semiconductor Corporation SR16150 PTH -
RFQ
 ECAD 6679 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SR16150 Schottky TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 150 V 16A 1 v @ 8 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
SRAF5100 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF5100 C0G -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF5100 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
ES1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RHG -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1D Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1 MHz
HER603G A0G Taiwan Semiconductor Corporation HER603G A0G -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero R-6, axial Her603 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 700 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 6 a 50 ns 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1 MHz
GP1007HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1007HC0G -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1007 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 10A 1.1 v @ 5 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C
HERF1602G C0G Taiwan Semiconductor Corporation Herf1602g C0G -
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Herf1602 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 16A 1 v @ 8 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
S10JCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S10JCHR7G -
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.1 v @ 10 a 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
SR503HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr503hr0g -
RFQ
 ECAD 9487 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-201ad, axial SR503 Schottky Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.250 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 5A -
MUR440 A0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440 A0G -
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur440 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
SFT15G A1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft15g a1g -
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial SFT15 Estándar TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
TSZL52C11 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C11 RWG -
RFQ
 ECAD 4063 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) TSZL52 200 MW 1005 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 8.5 V 11 V 20 ohmios
SS14LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss14lhrhg -
RFQ
 ECAD 7436 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS14 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 1 A 400 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SRT13HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt13ha1g -
RFQ
 ECAD 5490 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Descontinuado en sic A Través del Aguetero T-18, axial Srt13 Schottky TS-1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 1 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
SS19LHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss19lhrhg -
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS19 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 50 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
MBRF2080CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2080CTHC0G -
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF2080 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 80 V 20A 1 V @ 20 A 100 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
SR202HR0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr202hr0g -
RFQ
 ECAD 9837 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial SR202 Schottky DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 2 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 2a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar