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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f
RS2DAH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2dah 0.0849
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Rs2d Estándar DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 50pf @ 4V, 1 MHz
SFF2008G Taiwan Semiconductor Corporation SFF2008G 0.7561
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF2008 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 V @ 10 A 35 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 90pf @ 4V, 1MHz
ES3GBH Taiwan Semiconductor Corporation ES3GBH 0.2034
RFQ
 ECAD 4388 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB ES3G Estándar DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.13 v @ 3 a 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 41pf @ 4V, 1 MHz
GP1606HC0G Taiwan Semiconductor Corporation GP1606HC0G -
RFQ
 ECAD 2499 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 GP1606 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 800 V 16A 1.1 v @ 8 a 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C
SK54C M6G Taiwan Semiconductor Corporation SK54C M6G -
RFQ
 ECAD 2830 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk54 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
MUR305S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR305S V7G -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Mur305 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 25 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
HER1001G C0G Taiwan Semiconductor Corporation HER1001G C0G -
RFQ
 ECAD 9556 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 HER1001 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 50 V 10A 1 v @ 5 a 50 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR16150HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR16150HC0G -
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 MBR16150 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 16 A 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
ES2JAL Taiwan Semiconductor Corporation Es2jal 0.4200
RFQ
 ECAD 425 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads ES2J Estándar SMA Delgada - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a 15pf @ 4V, 1 MHz
ES1BLH Taiwan Semiconductor Corporation Es1blh 0.4100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1B Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1 MHz
SS210L RQG Taiwan Semiconductor Corporation SS210L RQG -
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS210 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 2 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 2a -
SF38GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF38GHB0G -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial SF38 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 3 a 35 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
HER102G R0G Taiwan Semiconductor Corporation HER102G R0G -
RFQ
 ECAD 2857 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial HER102 Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
SFAF2005G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF2005G C0G -
RFQ
 ECAD 5706 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SFAF2005 Estándar ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A 150pf @ 4V, 1 MHz
SS12LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation Ss12lhmhg -
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS12 Schottky Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 450 MV @ 1 A 400 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
RSFDLHRTG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfdlhrtg -
RFQ
 ECAD 6891 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFDL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
SRAF16100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF16100HC0G -
RFQ
 ECAD 8576 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero To20-2 paqueto entero SRAF16100 Schottky ITO-220AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 920 MV @ 16 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 16A -
SR005HB0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr005hb0g -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SR005 Schottky DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 700 MV @ 500 Ma 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 80pf @ 4V, 1 MHz
SS16LS RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS16LS RVG 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123H SS16 Schottky Sod-123he descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 1 A 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1 MHz
HS1KL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1KL R3G 0.2111
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB HS1K Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
RSFGL MTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFGL MTG -
RFQ
 ECAD 9596 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB RSFGL Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 500 Ma 150 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 500mA 4PF @ 4V, 1MHz
TST30U45CW Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45CW -
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto A Través del Aguetero Un 220-3 TST30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 550 MV @ 15 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A -
SF3006PTH Taiwan Semiconductor Corporation Sf3006pth -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero TO-247-3 SF3006 Estándar TO-247AD (TO-3P) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A 175pf @ 4V, 1MHz
MUR440 B0G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440 B0G -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo A Través del Aguetero Do-201ad, axial Mur440 Estándar Do-201ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.28 v @ 4 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4A 65pf @ 4V, 1 MHz
TSSA3U45 Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U45 0.2526
RFQ
 ECAD 7536 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA TSSA3 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 480 MV @ 3 A 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS32 M6G Taiwan Semiconductor Corporation Ss32 m6g -
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Ss32 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
TSSA5U60HE3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U60HE3G 0.4035
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños Montaje en superficie DO-214AC, SMA TSSA5 Schottky DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1.800 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 560 MV @ 5 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
HER602G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER602G B0G -
RFQ
 ECAD 6414 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Descontinuado en sic A Través del Aguetero R-6, axial Her602 Estándar R-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 400 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 6 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 6A 80pf @ 4V, 1 MHz
ES1FL MQG Taiwan Semiconductor Corporation ES1FL MQG -
RFQ
 ECAD 5664 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB ES1F Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1.3 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 1v, 1 MHz
SR10100HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR10100HC0G -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 SR10100 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 10A 850 MV @ 5 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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