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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1PGSMB5941 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5941 0.1689
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 35.8 V 47 V 67 ohmios
1PGSMB5944H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5944H 0.1798
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 47.1 V 62 V 100 ohmios
RS3GH Taiwan Semiconductor Corporation Rs3gh 0.1756
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HS3BB Taiwan Semiconductor Corporation HS3BB 0.2066
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Estándar DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-HS3BBTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
S15KC Taiwan Semiconductor Corporation S15kc 0.2997
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.1 V @ 15 A 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 15A 93pf @ 4V, 1MHz
RS3AH Taiwan Semiconductor Corporation Rs3AH -
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-RS3AHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK12B Taiwan Semiconductor Corporation Sk12b -
RFQ
 ECAD 1979 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK12BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 500 MV @ 1 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1PGSMB5943H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5943H 0.1798
RFQ
 ECAD 6413 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
SK39AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk39Ah 0.1746
RFQ
 ECAD 5144 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK39AHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 3 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK32AH Taiwan Semiconductor Corporation Sk32ah -
RFQ
 ECAD 9682 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK32AHTR EAR99 8541.10.0080 7,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 20 V 550 MV @ 3 A 500 µA @ 20 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SK515CH Taiwan Semiconductor Corporation Sk515ch 0.2296
RFQ
 ECAD 2612 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 300 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5951H 0.1798
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 91.2 V 120 V 360 ohmios
1PGSMB5955H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5955H 0.1798
RFQ
 ECAD 8988 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 136.8 V 180 V 900 ohmios
1PGSMB5942 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5942 0.1689
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 38.8 V 51 V 70 ohmios
TSZL52C12-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C12-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C12-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 9 V 12 V 20 ohmios
MBD4448HSDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD444448HSDW REG -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Estándar Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-mbd444448hsdwregtr EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) Conexión de la Serie de 2 Pares 57 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBD4448HTW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD444448HTW REG -
RFQ
 ECAD 1449 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Estándar Sot-363 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-mbd444448htwregtr EAR99 8541.10.0070 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 3 Independientes 57 V 250 Ma 1.25 V @ 150 Ma 4 ns 100 na @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55B10 RAG Taiwan Semiconductor Corporation TRAPO BZS55B10 -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B10RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
TSZL52C7V5-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C7V5-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 2681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C7V5-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
BZS55B7V5 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B7V5 RAG -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B7V5RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
BZS55B8V2 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B8V2 RAG -
RFQ
 ECAD 9681 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B8V2RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 6.2 V 8.2 V 7 ohmios
TSZL52C10-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C10-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C10-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
BZS55B27 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B27 TRAPO -
RFQ
 ECAD 3255 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B27RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
TSZL52C3V3-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V3-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C3V3-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 V 95 ohmios
TSZL52C39-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C39-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7034 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C39-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 29 V 39 V 90 ohmios
BAT43X-M0 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BAT43X-M0 RSG -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-79, SOD-523 Schottky Sod-523f - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BAT43X-M0RSGTR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
BZS55B3V9 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B3V9 RAG -
RFQ
 ECAD 4535 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B3V9RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.9 V 85 ohmios
TSZL52C27-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C27-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C27-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
BZS55B5V1 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B5V1 TRAPO -
RFQ
 ECAD 5845 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-BZS55B5V1RAGTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 1 V 5.1 V 50 ohmios
TSZL52C4V3-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C4V3-F0 RWG -
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 1005 (2512 Métrica) 200 MW 1005 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-TSZL52C4V3-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 4.3 V 95 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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