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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
TUAU6KH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau6kh 0.2961
RFQ
 ECAD 3753 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau6 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu6khtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.3 V @ 6 A 50 ns 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 64pf @ 4V, 1 MHz
HS3FH Taiwan Semiconductor Corporation HS3FH 0.2152
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS3FHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 v @ 3 a 50 ns 10 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
BZT52C22K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C22K 0.0474
RFQ
 ECAD 2819 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C22KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 100 na @ 17 V 22 V 55 ohmios
BZT52B22-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B22-G 0.0461
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B22-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 15.4 V 22 V 55 ohmios
HS1GLH Taiwan Semiconductor Corporation HS1GLH 0.2378
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1GLHTR EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 20pf @ 4V, 1 MHz
HS5MH Taiwan Semiconductor Corporation HS5MH 0.2928
RFQ
 ECAD 8543 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS5MHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 5 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 50pf @ 4V, 1 MHz
MBRS25100CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25100CT 0.8958
RFQ
 ECAD 6088 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBRS25100 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRS25100CTTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 25A 920 MV @ 25 A 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V2 0.0504
RFQ
 ECAD 1358 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C6V2TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
HDBLS105GH Taiwan Semiconductor Corporation HDBLS105GH 0.4257
RFQ
 ECAD 5158 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota Estándar DBLS descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HDBLS105GHTR EAR99 8541.10.0080 3.000 1.7 V @ 1 A 5 µA @ 600 V 1 A Fase única 600 V
MTZJ39SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ39SA 0.0305
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ39 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ39SATR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 30 V 35.58 V 85 ohmios
BZT52B43-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B43-G 0.0466
RFQ
 ECAD 2918 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 Bzt52b 410 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B43-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 29.4 V 43 V 130 ohmios
1N4736G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4736G 0.0627
RFQ
 ECAD 6477 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4736 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4736GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 V 3.5 ohmios
1N4754G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4754G 0.0627
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4754 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1N4754GTR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 29.7 V 39 V 60 ohmios
ZM4745A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4745a 0.0830
RFQ
 ECAD 6773 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4745 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4745ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
BZX85C51 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C51 0.0645
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C51TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 36 V 51 V 115 ohmios
BZX85C47 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C47 0.0645
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial BZX85 1.3 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX85C47TR EAR99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 10 Ma 500 na @ 33 V 47 V 90 ohmios
ZM4744A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4744a 0.0830
RFQ
 ECAD 9893 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4744 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4744ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 11.4 V 15 V 14 ohmios
ZM4742A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4742a 0.0830
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4742 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4742ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.1 V 12 V 9 ohmios
BZT52C51S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51S 0.0554
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C51STR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 35.7 V 51 V 180 ohmios
BZT52B4V7S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V7S 0.0340
RFQ
 ECAD 2496 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B4V7STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
ZM4750A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4750A 0.0830
RFQ
 ECAD 4660 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4750 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4750ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
BZT52B33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B33S 0.0340
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B33STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 23 V 33 V 80 ohmios
ZM4756A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4756a 0.0830
RFQ
 ECAD 8016 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4756 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4756ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 35.8 V 47 V 80 ohmios
ZM4743A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4743a 0.0830
RFQ
 ECAD 4298 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4743 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4743ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 9.9 V 13 V 10 ohmios
ZM4753A Taiwan Semiconductor Corporation Zm4753a 0.0830
RFQ
 ECAD 7166 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Do-213ab, melf ZM4753 1 W Asignar descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ZM4753ATR EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 27.4 V 36 V 50 ohmios
BZX584B3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Bzx584b3v6 0.0798
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V6TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
BZT52B36S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B36S 0.0340
RFQ
 ECAD 1714 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B36STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 25.2 V 36 V 90 ohmios
GBPC2508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2508W 3.1618
RFQ
 ECAD 9061 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC25 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2508 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC2508W EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V 25 A Fase única 800 V
BZV55C18 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C18 0.0333
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55C18TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 13 V 18 V 50 ohmios
BZT52C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 0.0412
RFQ
 ECAD 3755 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C13TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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