SIC
close

Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT52C51K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C51K 0.0511
RFQ
 ECAD 8507 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C51KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 39 V 51 V 180 ohmios
TS10K60H Taiwan Semiconductor Corporation TS10K60H 0.7521
RFQ
 ECAD 3313 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, TS4K TS10K60 Estándar TS4K descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TS10K60H EAR99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 10 a 10 µA @ 600 V 10 A Fase única 600 V
SFS1005G Taiwan Semiconductor Corporation SFS1005G 0.6044
RFQ
 ECAD 8074 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SFS1005 Estándar TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SFS1005GTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 300 V 10A 1.3 V @ 5 A 35 ns 1 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZY55B15 Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55b15 0.0413
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-bzy55b15tr EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
BZD27C30PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c30ph 0.2933
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.67% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C30PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15 ohmios
M3Z9V1C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z9V1C 0.0294
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3Z9 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z9V1CTR EAR99 8541.10.0050 6,000 500 na @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
BZT52C5V6K Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V6K 0.0474
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZT52C 200 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C5V6KTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 µA @ 2.5 V 5.6 V 40 ohmios
RS1AL Taiwan Semiconductor Corporation Rs1al 0.1703
RFQ
 ECAD 8508 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 Estándar Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1Altr EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 1.3 V @ 800 Ma 150 ns 5 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 800mA 10pf @ 4V, 1 MHz
KBPF406G Taiwan Semiconductor Corporation KBPF406G 0.6672
RFQ
 ECAD 2584 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBPF KBPF406 Estándar KBPF descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-kbpf406g EAR99 8541.10.0080 2,100 1.1 v @ 2 a 5 µA @ 800 V 4 A Fase única 800 V
MBR15100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR15100CT-Y 0.4375
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR15100 Estándar Un 220b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBR15100CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 15A 1.05 v @ 15 a 100 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSZU52C24 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C24 0.0669
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C24TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 18 V 24 V 80 ohmios
1PGSMC5359 Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5359 0.3249
RFQ
 ECAD 5488 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1PGSMC 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-1PGSMC5359TR EAR99 8541.10.0050 3.000 500 na @ 18.2 V 24 V 4 ohmios
BZT52C75-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C75-G 0.0424
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C75-GTR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 52.5 V 75 V 255 ohmios
GBPC3510M Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3510M 3.7238
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC35 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis 4 Cuadrado, GBPC-M GBPC3510 Estándar GBPC-M descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC3510M EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 A Fase única 1 kV
MTZJ20SC Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj20sc 0.0305
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj20 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ20SCTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 15 V 19.73 V 55 ohmios
BZD17C75PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c75ph 0.2790
RFQ
 ECAD 6691 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD17 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD17C75PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 200 Ma 1 µA @ 56 V 75 V 100 ohmios
SFF1006GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF1006GH 0.5318
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA SFF1006 Estándar ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SFF1006GH EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 400 V 10A 1.3 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1MLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hs1mlwh 0.0689
RFQ
 ECAD 1170 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W Estándar SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HS1MLWHTR EAR99 8541.10.0080 20,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1 A 75 ns 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1A 7pf @ 4V, 1 MHz
RS1JM Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jm 0.0986
RFQ
 ECAD 2003 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 2-SMD, Plano Plano Estándar Micro SMA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RS1JMTR EAR99 8541.10.0080 18,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
SS24FSH Taiwan Semiconductor Corporation Ss24fsh 0.1035
RFQ
 ECAD 4460 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-128 SS24 Schottky SOD-128 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SS24FSHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 570 MV @ 2 A 200 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 124pf @ 4V, 1MHz
BZV55B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B2V4 0.0504
RFQ
 ECAD 6430 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B2V4TR EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 100 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 85 ohmios
M3Z4V3C Taiwan Semiconductor Corporation M3Z4V3C 0.0294
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F M3z4 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-M3Z4V3CTR EAR99 8541.10.0050 6,000 5 µA @ 1 V 4.3 V 80 ohmios
TPMR6GH Taiwan Semiconductor Corporation TPMR6GH 0.2856
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR6 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TPMR6GHTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.8 V @ 6 A 60 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 6A 60pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5257B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5257B 0.0433
RFQ
 ECAD 5398 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F MMSZ5257 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MMSZ5257BTR EAR99 8541.10.0050 6,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 25 V 33 V 58 ohmios
SRS2060H Taiwan Semiconductor Corporation SRS2060H 0.7674
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SRS2060 Schottky TO-263AB (D2PAK) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-SRS2060HTR EAR99 8541.10.0080 1.600 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 20A 700 MV @ 10 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSZU52C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C6V2 0.0669
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 0603 (1608 Métrica) Tszu52 150 MW 0603 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TSZU52C6V2TR EAR99 8541.10.0050 20,000 900 MV @ 10 Ma 100 na @ 2 V 6.2 V 10 ohmios
UDZS6V8B Taiwan Semiconductor Corporation Udzs6v8b 0.0354
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F UDZS6V8 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-udzs6v8btr EAR99 8541.10.0050 10,000 1.8 µA @ 4 V 6.8 V 30 ohmios
BZX55B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B7V5 0.0301
RFQ
 ECAD 8803 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55B7V5TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 5 V 7.5 V 7 ohmios
HER158GH Taiwan Semiconductor Corporation HER158GH 0.1203
RFQ
 ECAD 7856 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial Estándar DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER158GHTR EAR99 8541.10.0080 3,500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5a 20pf @ 4V, 1 MHz
TPMR10J Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10J 0.4680
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN TPMR10 Estándar TO77A (SMPC) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-TPMR10JTR EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.8 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 10A 140pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar