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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55B3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V3 0.0385
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55B3V3TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2 µA @ 1 V 3.3 V 85 ohmios
MTZJ24SD Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj24sd 0.0305
RFQ
 ECAD 3134 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial MTZJ24 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ24SDTR EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 19 V 24.24 V 35 ohmios
BZX55C75 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C75 0.0305
RFQ
 ECAD 7558 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX55 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX55C75TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 56 V 75 V 170 ohmios
HER104GH Taiwan Semiconductor Corporation HER104GH 0.1044
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial Estándar DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-HER104GHTR EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 300 V 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1 MHz
TUAU8DH Taiwan Semiconductor Corporation Tuau8dh 0.3108
RFQ
 ECAD 6960 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-277, 3-PowerDFN Tuau8 Estándar SMPC4.6U descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-tuu8dhtr EAR99 8541.10.0080 6,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1 v @ 8 a 50 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 8A 80pf @ 4V, 1 MHz
MTZJ6V2SB Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj6v2sb 0.0305
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj6 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MTZJ6V2SBTR EAR99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 3 V 6.2 V 60 ohmios
BZD27C16PH Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c16ph 0.2933
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.56% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123 BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZD27C16PHTR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16.2 V 15 ohmios
ES2JALH Taiwan Semiconductor Corporation Es2jalh 0.1491
RFQ
 ECAD 5562 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-221AC, SMA Flat Leads Estándar SMA Delgada descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-ES2JALHTR EAR99 8541.10.0080 14,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.7 v @ 2 a 35 ns 1 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2A 21pf @ 4V, 1 MHz
BAT42W Taiwan Semiconductor Corporation BAT42W 0.0548
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123 BAT42 Schottky SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAT42WTR EAR99 8541.10.0070 6,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -55 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 10pf @ 1v, 1 MHz
BZX584B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B2V4 0.0790
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B2V4TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 V 100 ohmios
BZX79C5V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C5V1 0.0287
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C5V1TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 V 60 ohmios
BZX79C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 0.0287
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79C12TR EAR99 8541.10.0050 20,000 1.5 V @ 100 Ma 100 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
BZT52B12 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B12 0.0412
RFQ
 ECAD 4935 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B12TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 12 V 25 ohmios
GBPC3508W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3508W 3.7238
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC35 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3508 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC3508W EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 800 V 35 A Fase única 800 V
GBPC3506W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506W 3.7238
RFQ
 ECAD 3462 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC35 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC3506 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC3506W EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 600 V 35 A Fase única 600 V
BZX584B3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B3V9 0.0790
RFQ
 ECAD 3063 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B3V9TR EAR99 8541.10.0050 8,000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 1 V 3.9 V 90 ohmios
BZX79B30 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B30 0.0305
RFQ
 ECAD 4702 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BZX79 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX79B30TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 100 Ma 21 Ma @ 50 MV 30 V 80 ohmios
BZT52C68 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C68 0.0453
RFQ
 ECAD 8701 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C68TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 47.6 V 68 V 240 ohmios
AZ23C18 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C18 0.0786
RFQ
 ECAD 1193 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C18TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 14 V 18 V 50 ohmios
BZT52B4V3S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3S 0.0343
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F Bzt52b 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B4V3STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 2.7 µA @ 1 V 4.3 V 90 ohmios
BZX584B7V5 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B7V5 0.0639
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZX584B7V5TR EAR99 8541.10.0050 104,000 1 µA @ 5 V 7.5 V 15 ohmios
BZT52B18 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B18 0.0412
RFQ
 ECAD 6752 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F Bzt52b 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52B18TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 45 na @ 12.6 V 18 V 45 ohmios
BAV20 Taiwan Semiconductor Corporation Bav20 0.0315
RFQ
 ECAD 8835 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial Bav20 Estándar Do-35 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BAV20TR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 200 V 1.25 V @ 200 Ma 100 na @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 200 MMA 5PF @ 0V, 1MHz
AZ23C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C5V6 0.0786
RFQ
 ECAD 3123 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C5V6TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 1 V 5.6 V 40 ohmios
BZV55B9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B9V1 0.0357
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 Bzv55b 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZV55B9V1TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 100 Ma 100 na @ 6.8 V 9.1 V 10 ohmios
RB520G-30 Taiwan Semiconductor Corporation RB520G-30 0.0587
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Sod-723 Schottky Sod-723f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-RB520G-30TR EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 450 MV @ 10 Ma 500 na @ 10 V 125 ° C 100mA -
AZ23C43 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C43 0.0786
RFQ
 ECAD 1248 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-AZ23C43TR EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 32 V 43 V 100 ohmios
BZT52C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C5V6 0.0412
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C5V6TR EAR99 8541.10.0050 6,000 1 V @ 10 Ma 900 na @ 2 V 5.6 V 40 ohmios
GBPC2504W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2504W 3.1925
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán GBPC25 Banda Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4 Cuadrado, GBPC-W GBPC2504 Estándar GBPC-W descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-GBPC2504W EAR99 8541.10.0080 200 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 A Fase única 400 V
BZT52C3V6S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V6S 0.0357
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT52C3V6STR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 4.5 µA @ 1 V 3.6 V 90 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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