SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
BZT55C68 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C68 L0G 0.0350
RFQ
ECAD 6930 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 51 V 68 V 160 ohmios
BZD17C43P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43P RFG -
RFQ
ECAD 4648 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.97% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 33 V 43 V 45 ohmios
1SMB5932HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5932HR5G -
RFQ
ECAD 3439 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 1SMB5932 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 15.2 V 20 V 14 ohmios
AZ23C30 RFG Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C30 RFG 0.0786
RFQ
ECAD 4879 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C 300 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 par Ánodo Común 100 na @ 22.5 V 30 V 80 ohmios
1SMA5932 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5932 0.0935
RFQ
ECAD 6820 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA 1SMA5932 1.5 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 500 na @ 15.2 V 20 V 14 ohmios
BZD27C6V8PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c6v8phmtg -
RFQ
ECAD 5946 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.8 V 3 ohmios
2M82Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M82Z B0G -
RFQ
ECAD 5200 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2m82 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 62.2 V 82 V 100 ohmios
BZD27C56PHRHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c56phrhg -
RFQ
ECAD 6342 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 7.14% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 43 V 56 V 60 ohmios
BZT52C13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 RHG 0.0412
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOD-123F BZT52C 500 MW SOD-123F descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 90 na @ 8 V 13 V 30 ohmios
2M51ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m51zha0g -
RFQ
ECAD 6540 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M51 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 500 na @ 38.8 V 51 V 48 ohmios
MBR30L120CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L120CTHC0G -
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo A Través del Aguetero Un 220-3 MBR30 Schottky Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 120 V 30A 950 MV @ 30 A 20 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZV55C15 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C15 L0G 0.0333
RFQ
ECAD 3243 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 11 V 15 V 30 ohmios
KBP201G C2G Taiwan Semiconductor Corporation KBP201G C2G -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, KBP Estándar KBP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1,000 1.2 v @ 2 a 10 µA @ 50 V 2 A Fase única 50 V
1N4743AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743AH 0.1188
RFQ
ECAD 1971 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4743 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 38.8 V 13 V 95 ohmios
1N4742AHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742AHA0G -
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4742 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 22.8 V 12 V 40 ohmios
BZS55C16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 RXG 0.0340
RFQ
ECAD 2210 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 12 V 16 V 40 ohmios
1N4750A R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4750A R1G -
RFQ
ECAD 4464 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4750 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 20.6 V 27 V 35 ohmios
BAT42 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BAT42 R0G -
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial BAT42 Schottky Do-35 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BAT42R0G EAR99 8541.10.0070 10,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 30 V 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C 200 MMA 7pf @ 1v, 1 MHz
2M120Z B0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M120Z B0G -
RFQ
ECAD 9400 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AC, do-15, axial 2M120 2 W DO-204AC (DO-15) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1,000 500 na @ 91.2 V 120 V 325 ohmios
BZD27C9V1PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c9v1phrfg -
RFQ
ECAD 1244 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 5 V 9.05 V 4 ohmios
1N4758A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4758A A0G -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4758 1 W DO-204Al (DO-41) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 5 µA @ 42.6 V 56 V 110 ohmios
MTZJ10SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation Mtzj10sc r0g 0.0305
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial Mtzj10 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 7 V 9.95 V 30 ohmios
1N5248B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5248B A0G -
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta y Caja (TB) Activo ± 5% 100 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5248 500 MW Do-35 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.1 V @ 200 Ma 100 na @ 14 V 18 V 21 ohmios
BZD27C130PHM2G Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c130phm2g -
RFQ
ECAD 3971 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 100 V 132.5 V 300 ohmios
SRA20150 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA20150 C0G -
RFQ
ECAD 6276 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Descontinuado en sic A Través del Aguetero Un 220-2 SRA20150 Schottky TO20AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 50 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 1.02 v @ 20 a 100 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZY55C27 RYG Taiwan Semiconductor Corporation Bzy55c27 ryg -
RFQ
ECAD 9965 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 0805 (Métrica de 2012) Bzy55 500 MW 0805 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 5,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 20 V 27 V 80 ohmios
BZV55C30 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C30 L1G -
RFQ
ECAD 4410 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZV55C 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V @ 10 Ma 100 na @ 22 V 30 V 80 ohmios
BZT55B4V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B4V7 L0G 0.0385
RFQ
ECAD 4585 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 BZT55 500 MW Mini Melf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 500 na @ 1 V 4.7 V 60 ohmios
BZD27C220P MQG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd27c220p mqg -
RFQ
ECAD 7241 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5.66% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 160 V 220.5 V 900 ohmios
BZD17C13P MHG Taiwan Semiconductor Corporation Bzd17c13p mhg -
RFQ
ECAD 8759 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 6.53% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD17 800 MW Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 2 µA @ 10 V 13 V 10 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock